[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法

说明书

提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。

本申请是2015年11月11日提交的标题为“半导体器件结构的结构和形成方法”、专利申请号为201510768135.7的分案申请。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC，其中每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。

在IC发展过程中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的组件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。

然而，这些进步已增加了加工和生产IC的复杂度。由于部件尺寸持续降低，制造工艺持续变得难以实施。因此，形成越来越小的尺寸的可靠的半导体器件是一种挑战。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体器件结构，包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；覆盖元件，位于所述栅极堆叠件上方，其中，所述覆盖元件具有上部和下部，并且所述上部比所述下部更宽；以及间隔元件，位于所述覆盖元件的侧壁和所述栅极堆叠件的侧壁上方。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体器件结构，包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；覆盖元件，位于所述栅极堆叠件上方，其中，所述覆盖元件具有靠近所述栅极堆叠件的第一宽度和靠近所述覆盖元件的上部的第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度；以及间隔元件，位于所述覆盖元件的侧壁和所述栅极堆叠件的侧壁上方。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成栅电极；在所述栅电极的侧壁上方形成间隔元件；部分地去除所述栅电极和所述间隔元件以在所述间隔元件之间形成凹槽，其中，所述凹槽沿着从所述凹槽的底部朝向所述凹槽的顶部的方向变宽；去除所述栅电极的剩余部分，从而使得所述凹槽变得更深；在去除所述栅电极的剩余部分之后，在所述凹槽中形成金属栅极堆叠件；以及在所述金属栅极堆叠件之上并且在所述间隔元件之间形成覆盖元件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或减小。

图1A至图1G是根据一些实施例的用于形成半导体器件结构的工艺的各个阶段的截面图。

图2是根据一些实施例的半导体器件结构的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例并且不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个实例中重复参考标号和字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述多个实施例和/或配置之间的关系。