[发明专利]迭代自对准图案化

权利要求书

1.一种用于自对准图案化的方法，所述方法包括：

提供衬底；

形成包括多个芯轴部件的图案化的芯轴层，所述图案化的芯轴层形成在所述衬底上；

在所述芯轴层上方沉积第一间隔件层，所述第一间隔件层包括第一类型的材料；

以第一蚀刻剂各向异性地蚀刻所述第一间隔件层以在所述芯轴部件的侧壁上留下第一组间隔件；

去除所述芯轴层；

在所述第一组间隔件的剩余部分上方沉积第二间隔件层，所述第二间隔件层和所述芯轴层包括与所述第一类型的材料不同第二类型的材料；

以不同于所述第一蚀刻剂的第二蚀刻剂各向异性地蚀刻所述第二间隔件层以在所述第一组间隔件的侧壁上形成第二组间隔件，以实现通过所述第一类型的材料和第二类型的材料形成所述第二组间隔件；

在所述第二组间隔件的侧壁和顶部上形成第三间隔件层；

在所述第三间隔件层上方形成介电层；

进行化学机械抛光(CMP)工艺以暴露出所述第二组间隔件，使得所述第二组间隔件的顶面、所述第三间隔件层的顶面以及所述介电层的顶面共面；以及

去除所述第二组间隔件和所述介电层，

其中，所述多个芯轴部件中的至少一个具有不同的宽度，使得所述第一间隔件层和所述第二间隔件层的至少一个包括通过合并两个相邻的间隔件而形成的融合部件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：去除所述第一间隔件层的所述第一组间隔件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三间隔件层包括与所述第一间隔件层相同类型的材料。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：实施蚀刻工艺以去除通过所述第三间隔件层暴露出的所述衬底的一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一类型的材料包括介电材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料包括氧化物、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳化硅(SiC)、碳氮化硅(SiCN)、或碳氮氧化硅(SiOCN)中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二类型的材料包括导电材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二类型的材料包括非晶硅或非晶碳中的至少一种。

9.一种用于迭代自对准图案化的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成图案化的芯轴层；

在所述芯轴层上方沉积第一间隔件层，使得所述第一间隔件层与所述芯轴层共形，所述第一间隔件层包括第一类型的材料；

使用第一蚀刻剂对所述第一间隔件层实施第一各向异性蚀刻工艺，从而在所述芯轴层的侧壁上留下第一组间隔件；

去除所述芯轴层；

在所述第一组间隔件上方形成第二间隔件层，使得所述第二间隔件层与所述第一组间隔件共形，所述第二间隔件层和所述芯轴层包括与所述第一类型的材料不同的第二类型的材料；

使用与所述第一蚀刻剂不同的第二蚀刻剂对所述第二间隔件层实施第二各向异性蚀刻工艺，从而在所述第一组间隔件的侧壁上形成第二组间隔件，以实现通过所述第一类型的材料和第二类型的材料形成所述第二组间隔件；

在所述第二组间隔件的侧壁和顶部上形成第三间隔件层；

在所述第三间隔件层上方形成介电层；

进行化学机械抛光(CMP)工艺以暴露出所述第二组间隔件，使得所述第二组间隔件的顶面、所述第三间隔件层的顶面以及所述介电层的顶面共面；以及

去除所述第二组间隔件和所述介电层，

其中，所述芯轴层的多个芯轴部件中的至少一个具有不同的宽度，使得所述第一间隔件层和所述第二间隔件层的至少一个包括通过合并两个相邻的间隔件而形成的融合部件。

10.一种用于迭代自对准图案化的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成图案化的芯轴层；

以第一蚀刻剂进行各向异性地蚀刻以在所述芯轴层的侧壁上形成第一组间隔件，所述第一组间隔件包括第一类型的材料；

去除所述芯轴层；

以不同于所述第一蚀刻剂的第二蚀刻剂进行各向异性地蚀刻以在所述第一组间隔件的侧壁上形成第二组间隔件，所述第二组间隔件和所述芯轴层包括与所述第一类型的材料不同的第二类型的材料，以实现通过所述第一类型的材料和第二类型的材料形成所述第二组间隔件；

去除所述第一组间隔件；

在所述第二组间隔件的侧壁和顶部上形成第三间隔件层；

在所述第三间隔件层上方形成介电层；

进行化学机械抛光(CMP)工艺以暴露出所述第二组间隔件，从而在所述第二组间隔件的侧壁上形成第三组间隔件，所述第三组间隔件包括所述第一类型的材料，使得所述第二组间隔件的顶面、所述第三组间隔件的顶面以及所述介电层的顶面共面；以及

去除所述第二组间隔件和所述介电层，

其中，所述芯轴层的多个芯轴部件中的至少一个具有不同的宽度，使得所述第一间隔件层和所述第二间隔件层的至少一个包括通过合并两个相邻的间隔件而形成的融合部件。