[发明专利]基于逆法拉第效应的温度传感器及系统在审
| 申请号： | 202011362556.7 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112484876A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 西安柯莱特信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/36 | 分类号： | G01K7/36;G01K11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高新区高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 法拉第 效应 温度传感器 系统 | ||
1.一种基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器包括：壳体、激光器、磁场探测器、活动挡板、热膨胀材料部、弹性材料部、贵金属微纳颗粒溶液；所述活动挡板设置在所述壳体内部，将所述壳体分隔为第一腔室和第二腔室，所述第一腔室内远离第二腔室的一端设置有激光器，靠近所述第二腔室的一端设置有磁场探测器，所述第二腔室内填充有所述贵金属微纳颗粒溶液，所述第二腔室中连接所述活动挡板的壁为热膨胀材料部，所述第一腔室中与所述热膨胀材料部连接的壁为弹性材料部。
2.根据权利要求1所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述贵金属微纳颗粒溶液中的贵金属微纳颗粒的材料为金或银。
3.根据权利要求1所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述磁场探测器为线圈或霍尔效应测量装置。
4.根据权利要求1所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述热膨胀材料部的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
5.根据权利要求1所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述弹性材料部的材料为为热收缩材料。
6.根据权利要求1所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述活动挡板为透光材料。
7.根据权利要求1-6任意一项所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述第二腔室中的四个与所述第一腔室连接的壁均为热膨胀材料部。
8.根据权利要求7所述基于逆法拉第效应的温度传感器，其特征在于，所述第一腔室中与所述热膨胀材料部连接的四个壁均为弹性材料部。
9.一种基于逆法拉第效应的温度传感系统，其特征在于，所述温度传感系统包括：计算机和权利要求1-8任意一项所述的温度传感器，所述计算机用于根据磁场变化情况与待测温度的关系，得到待测温度。
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