[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

金属-绝缘体-金属结构，包括：

底部导体板层，包括第一开口和第二开口；

第一介电层，位于所述底部导体板层上方；

中间导体板层，位于所述第一介电层上方，所述中间导体板层包括第三开口、设置在所述第三开口内的第一伪板、和第四开口；

第二介电层，位于所述中间导体板层上方；以及

顶部导体板层，位于所述第二介电层上方，所述顶部导体板层包括第五开口、设置在所述第五开口内的第二伪板、第六开口、和设置在所述第六开口内的第三伪板；

其中，所述第一开口、所述第一伪板、和所述第二伪板垂直对准。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二开口和所述第三伪板垂直对准。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一伪板、所述第二伪板、和所述第三伪板电浮置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一接触通孔，电连接至所述第一伪板和所述第三伪板，并且与所述底部导体板层电绝缘。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，所述第一接触通孔延伸穿过所述底部导体板层中的第一开口。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二接触通孔，电连接至所述第三伪板和所述中间导体板层，并且与所述底部导体板层电绝缘。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，所述第二接触通孔延伸穿过所述底部导体板层中的第二开口。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三接触通孔，电连接至所述底部导体板层和所述顶部导体板层，并且与所述中间导体板层电绝缘。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

介电层，位于所述衬底上方；以及

金属-绝缘体-金属结构，嵌入所述介电层中，所述金属-绝缘体-金属结构包括：

底部导体板层，包括第一开口和第二开口；

第一绝缘体层，位于所述底部导体板层上方；

中间导体板层，位于所述第一绝缘体层上方，所述中间导体板层包括第三开口、设置在所述第三开口内的第一伪板、和第四开口；

第二绝缘体层，位于所述中间导体板层上方；

顶部导体板层，位于所述第二绝缘体层上方，所述顶部导体板层包括第五开口、设置在所述第五开口内的第二伪板、第六开口、和设置在所述第六开口内的第三伪板；

其中，所述第一开口、所述第三开口、和所述第五开口垂直对准；

其中，所述第五开口的第一垂直投影面积大于所述第三开口的第二垂直投影面积；

其中，所述第三开口的第二垂直投影面积大于所述第一开口的第三垂直投影面积。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方沉积第一介电层；

在所述第一介电层上方形成金属-绝缘体-金属(MIM)结构，其中，所述金属-绝缘体-金属结构的形成包括：

形成包括第一开口和第二开口的底部板层；

在所述底部板层上方沉积第一绝缘体层；

形成中间板层，所述中间板层包括：

第三开口，与所述第一开口垂直对准；以及

第一伪板，设置在所述第三开口内；

在所述中间板层上方沉积第二绝缘体层；

形成顶部板层，所述顶部板层包括：

第四开口，与所述第一开口和所述第三开口垂直对准；

第五开口，与所述第二开口垂直对准；

第二伪板，设置在所述第四开口内；以及

第三伪板，设置在所述第五开口内；以及

在所述金属-绝缘体-金属结构上方沉积介电层。