[发明专利]一种半导体激光发射器在审
| 申请号： | 202011361135.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490846A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 雷述宇 | 申请（专利权）人： | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 发射器 | ||
1.一种半导体激光发射器，其特征在于，包含：第一DBR层，第二DBR层，配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第二DBR层还连接衬底层，所述衬底层具有第一厚度，所述衬底远离所述量子阱有源区的一侧包含激发所述量子阱有源区的第一电极和第二电极。
2.根据权利要求1所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述第一DBR层为P型掺杂，所述第二DBR层为N型掺杂，所述第一电极与所述第一DBR层相连接，所述第二电极与所述第二DBR层相连接。
3.根据权利要求1所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述第一电极包含穿透所述衬底的导电连接部，并通过所述导电连接部与所述第一DBR层相连接。
4.根据权利要求1所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述导电连接部包含位于TSV工艺形成的衬底贯穿部的导电连接部。
5.根据权利要求4所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述半导体有源区与所述的贯穿部在半导体基板上穿插布置。
6.根据权利要求4所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述贯穿部在半导体基板上布置于所述半导体有源区范围外的独立区域内。
7.根据权利要求4所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述贯穿部与所述导电连接部之间还包含绝缘介质部。
8.根据权利要求4所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述贯穿部是由两个方向的两次刻蚀而形成的。
9.根据权利要求4或8所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述贯穿部具有第一倾角范围内的倾斜部。
10.根据权利要求9所述的半导体激光发射器，其特征在于，所述第一倾角范围为75°-90°。
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