[发明专利]有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：

电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；

所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，

所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍以上；

优选的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍～5倍；

优选的，所述第二变化率为所述第一变化率的3倍～5倍；

优选的，所述电子传输层在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率；

优选的，当第一电场强度为1.6E5V/cm～3.0E5V/cm时，第一电子迁移率为10^－7cm²/Vs～10^－6cm²/Vs，当第二电场强度大于3.0E5V/cm且小于或等于1E6V/cm时，第二电子迁移率大于10^－6cm²/Vs且小于或等于10^－1cm²/Vs；

优选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上，优选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的5倍以上；优选的，所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm；

优选的，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率大于所述第二电子迁移；优选的，第三电场强度为1.6E5V/cm～1E6V/cm，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率为10^－4cm²/Vs～10^－2cm²/Vs。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为亚胺类电子传输材料、噻唑类电子传输材料、蒽唑类电子传输材料或邻菲啰啉类电子传输材料；

优选的，所述电子传输层的材料为1，10－邻二氮杂菲；

优选的，所述电子传输层的厚度为250埃～500埃。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料为芳香族三级胺类化合物或二胺类化合物；

优选的，所述空穴传输层的材料为N－N’－双－(3－萘基)－N，N’－二苯基－[1，1’－二苯基]－4，4’－二胺；

优选的，所述空穴传输层的厚度为1000埃～1300埃。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述空穴传输层和所述发光层之间的电子阻挡层，所述空穴传输层的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级；

优选的，所述空穴传输层的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV；

优选的，所述电子阻挡层的材料包括4，4”－三(咔唑－9－基)三苯胺；优选的，所述电子阻挡层的厚度为30埃～150埃。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述电子传输层和所述发光层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道与所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV；

优选的，所述空穴阻挡层的材料包括1，3，5－三(N－苯基－2－苯并咪唑)苯；优选的，所述空穴阻挡层的厚度为30埃～100埃。