[发明专利]差分电容麦克风及其制作方法在审
| 申请号: | 202011359976.X | 申请日: | 2020-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN112492500A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
| 发明(设计)人: | 聂泳忠;毛德丰 | 申请(专利权)人: | 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 |
| 主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00;H04R19/04;H04R19/00 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容 麦克风 及其 制作方法 | ||
1.一种差分电容麦克风,包括振动膜(3),其特征在于,
所述振动膜(3)包括层叠设置的振膜层(31)和导电层(32);
所述振膜层(31)的材质为聚合物;
所述导电层(32)的电导率大于所述振膜层(31)的电导率。
2.根据权利要求1所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述导电层(32)的材质选自金属、导电银浆、金属型碳管和碳纳米管中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述聚合物为聚二甲基硅氧烷和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述差分电容麦克风还包括第一衬底(1),与所述振动膜(3)连接构成第一电容结构;
第二衬底(2),与所述振动膜(3)连接构成第二电容结构,所述第一电容结构与所述第二电容结构形成差分电容结构。
5.根据权利要求4所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述导电层(32)在所述振膜层(31)边缘预设位置具有凸起的导线连接块(301),所述第一衬底(1)上具有与所述凸起的导线连接块(301)相适配的凹槽,所述第一衬底(1)与所述振动膜(3)通过所述凹槽与所述凸起的导线连接块(301)连接;
或,所述导电层(32)在所述振膜层(31)边缘预设位置具有凹槽,所述第一衬底(1)上具有与所述凹槽相适配的凸起的导线连接块(301),所述第一衬底(1)与所述振动膜(3)通过所述凹槽与所述凸起的导线连接块(301)连接。
6.根据权利要求5所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述第一衬底(1)具有第一背板(11)、第一支撑部(12)及第一背腔(13),所述第一背板(11)通过所述第一支撑部(12)支撑,且所述第一背板(11)与所述第一支撑部(12)之间形成所述第一背腔(13);
所述第二衬底(2)具有第二背板(21)、第二支撑部(22)及第二背腔(23),所述第二背板(21)通过所述第二支撑部(22)支撑,且所述第二背板(21)与所述第二支撑部(22)之间形成所述第二背腔(23)。
7.根据权利要求6所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述振动膜(3)设置于所述第一衬底(1)及所述第二衬底(2)之间,且所述振动膜(3)通过所述第一背腔(13)与所述第一背板(11)相对设置,通过所述第二背腔(23)与所述第二背板(21)相对设置。
8.根据权利要求6所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述第一背板(11)与所述第二背板(21)上均具有释放孔,所述振膜上具有声孔,所述释放孔与所述声孔错位布局。
9.一种差分电容麦克风制作方法,其特征在于,包括:
形成振动膜(3),在硅片(100)表面设置振膜层(31),所述振膜层(31)的材质为聚合物;
在所述振膜层(31)上设置导电层(32),并对所述导电层(32)进行图形化,所述导电层(32)的电导率大于所述振膜层(31)的电导率。
10.根据权利要求9所述的差分电容麦克风制作方法,其特征在于,
所述形成振动膜(3)的步骤包括,形成在所述振膜层(31)边缘预设位置具有凸起的导线连接块(301),或,形成在所述振膜层(31)边缘预设位置的凹槽。
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