[发明专利]激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

制绒步骤：在硅片表面形成绒面；

第一次扩散步骤：对制绒后的硅片正面进行第一次磷扩散处理；

激光重掺杂步骤：通过激光对第一次磷扩散后的硅片正面进行选择性重掺杂；

第二次扩散步骤：对重掺杂后的硅片正面进行第二次磷扩散处理

酸刻蚀步骤：采用混合酸液去除硅片背面的磷硅玻璃与背结；

去正面PSG步骤：去除硅片正面的磷硅玻璃。

2.根据权利要求1所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一次扩散步骤依次包括第一预扩散步骤及第一推进扩散步骤，第二次扩散步骤依次包括第二预扩散步骤及第二推进扩散步骤；其中，所述第二次扩散步骤中的第二预扩散温度与第二推进扩散温度分别小于所述第一次扩散步骤中的第一预扩散温度与第一推进扩散温度。

3.根据权利要求2所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一预扩散温度为780-810℃，所述第一推进扩散温度为820-850℃；所述第二预扩散温度为730-780℃，所述第二推进扩散温度为760-810℃。

4.根据权利要求2或3所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一预扩散步骤中，向扩散炉内通入POCl₃与O₂进行恒定源扩散，POCl₃的流量为300-1000sccm，O₂的流量为300-1000sccm，时间为5-10min；所述第一推进扩散步骤中，向扩散炉内通入N₂，时间为5-10min。

5.根据权利要求4所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第二预扩散步骤中，向扩散炉内通入POCl₃与O₂进行恒定源扩散，POCl₃的流量为300-1000sccm，O₂的流量为300-1000sccm，时间为5-15min；所述第二推进扩散步骤中，向扩散炉内通入N₂，时间为5-15min。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制绒步骤中，先采用3wt％-15wt％的双氧水和1wt％-5wt％的NaOH溶液进行粗抛；然后在0.5wt％-5wt％的NaOH和0.1wt％-1wt％的制绒添加剂溶液进行制绒，在所述硅片表面形成绒面；再采用体积浓度为5％-8％的HF溶液和体积浓度为5％-10％HCL溶液去除硅片表面的金属离子杂质，并清洗烘干。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述酸刻蚀步骤中，所述混合酸液包括25wt％-65wt％的HNO₃以及5wt％-15wt％的HF；或，所述混合酸液包括25wt％-65wt％的HNO₃、5wt％-15wt％的HF以及10wt％-30wt％的H₂SO₄。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述去正面PSG步骤中，采用5wt％-10wt％的HF溶液进行所述硅片正面磷硅玻璃的去除。

9.根据权利要求1-3任意一项所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述去正面PSG步骤之后，所述制作方法包还包括正、背面镀膜步骤，所述正、背面镀膜步骤为：在硅片正面沉积正面减反射膜，在硅片背面依次沉积钝化膜及背面减反射膜。

10.根据权利要求9所述的激光掺杂选择性发射极太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述正、背面镀膜步骤后，所述制作方法还包括对硅片背面的钝化膜及减反射膜进行激光开槽的激光开槽步骤，开槽激光的光斑为25-40μm。