[发明专利]增大铜层工艺窗口的OPC方法和OPC模块

说明书

本发明公开了一种增大铜层工艺窗口的OPC方法，包括：在图形选出高度大于第一阈值的Jog；指定第一插入Jog的高度H和长度L,计算第一插入Jog的数量n；检测选出Jog距离(n‑1)*L范围内有无其他Jog；如有，则将检测到的Jog向远离选出Jog的方向平移(n‑1)*L的距离，n＞1的自然数；以选出的Jog的凹角处为起点，将第一插入Jog全部逐级插入，前(n‑1)级第一插入Jog高度为H，使第n级第一插入Jog与选出Jog边齐平；对每一级Jog检测MRC，若某一级Jog违反MRC，则在该级Jog凹角前再插入一个第二插入Jog，使其满足MRC；对该层做OPC操作，获得修正掩模版图形。本发明还公开了一种增大铜层工艺窗口的OPC模块。本发明根据待修正Jog周围环境使Retargeting层在疏密交接区域变换平缓降低铜层Open风险，增大铜层工艺窗口。

技术领域

本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种增大铜层工艺窗口的OPC方法。本发明还涉及一种增大铜层工艺窗口的OPC模块。

背景技术

在先进半导体工艺中，光学临近修正(Optical Proximity Correction,OPC)已经是不可缺少的流程之一。为了弥补显影后检测(After Development Inspection,ADI)和刻蚀后检测(After Etching Inspection,AEI)图形的差异，OPC会修改原设计图形的线宽(Retargeting)，使图形的线宽(CD)和间距(Space)更接近1:1。在后道工序(Back End ofLine,BEOL)中，铜层的环境复杂，单个图形周围有较多疏密交接的情况，因此铜层在此处Retargeting后的CD变化剧烈，有很多Jog会出现。当这类Jog的高度较大，铜层CD变化起伏较剧烈时，Retargeting后铜层的工艺窗口会变小，铜层的ADI图形会有Open的风险。通常解决这种问题的方法是平滑Retargeting层，在大Jog处加入一个或多个小Jog。然而，目前Jog处Retargeting层平滑的流程较为简易，不能对Jog周围的环境进行判断，不能固定已加入小Jog的位置，且不能进行掩模板规则检查(Mask Rule Check,MRC)。因此，疏密交接处的大Jog会引入铜层Open的风险。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能根据待修正Jog周围环境使设计图形线宽改变层(Retargeting)在疏密交接区域变换平缓降低铜层Open风险，增大铜层工艺窗口的OPC方法。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种能根据待修正Jog周围环境使Retargeting层在疏密交接区域变换平缓降低铜层Open风险，增大铜层工艺窗口的OPC模块。

为解决上述技术问题，本发明提供的增大铜层工艺窗口的OPC方法，包括以下步骤：

S1，在图形中选出待修正Jog,Jog是图形分段边有高度差的台阶状位置；

S2，指定第一插入Jog的高度H和长度L,计算第一插入Jog的数量n；

S3，检测选出Jog距离(n-1)*L范围内有无其他Jog；如有，则将检测到的Jog向远离选出Jog的方向平移(n-1)*L的距离，n＞1的自然数；

S4，以选出的Jog的凹角处为起点，将第一插入Jog全部逐级插入，前(n-1)级第一插入Jog高度为H，使第n级第一插入Jog与选出Jog边齐平；

S5，对每一级Jog检测MRC，若某一级Jog违反MRC，则在该级Jog凹角前再插入一个第二插入Jog，使其满足MRC；

S6，对该层做OPC操作，获得修正掩模版图形。