[发明专利]一种OLED器件在线质量检测方法及应用

说明书

本发明公开了一种OLED器件在线质量检测方法及应用，该方法步骤包括：用起始电压驱动点亮OLED器件；使用拉曼光谱仪对OLED器件进行成像，在无激发光源的条件下，收集OLED器件电致发光EL谱信息；通过峰强信息成像得到EL谱信息各层EL成像图，用于确认坏点；基于确认的坏点，在缺陷位置采用激光激发，收集记录PL及Raman谱信息；根据PL及Raman谱信息处理得到各层对应缺陷位置的PL及Raman成像图；对OLED器件同一区域采集的多种光谱信息，联合EL、PL及Raman成像图对缺陷形成机理进行分析得到缺陷成因，统计记录缺陷种类，得到质量检测结果。通过该OLED器件在线质量检测方法，能在早期预测坏点的生成，明确坏点的成因，从而提高良品率。

技术领域

本发明涉及OLED生产技术领域，尤其涉及一种OLED器件在线质量检测方法及应用。

背景技术

近年来，有机发光二极管(OLED)作为一个新兴的、有前景的产业，在高端照明领域得到了迅速发展。OLED技术在柔性显示终端上具有非常好的竞争力，是液晶显示器(LCD)或无机发光二极管(LED)无法替代的。然而，产业化的OLED仍然存在产率低的问题，这源于OLED的局部发射变暗的区域，如坏点和暗像素。电视、手机等显示终端，一般3-5个暗像素视为不合格。因此，为了提高基于OLED的显示器的竞争力，在线监测二维电致发光均匀性的质量预测和机制分析将成为必要技术。

坏点是由薄膜上的一个很小的缺陷产生的，随着时间的推移，坏点会不断生长生，直至尺寸增大到直径约为100um左右时肉眼即可分辨。自Tang等人首次发表OLED的研究以来，它的形成极大地限制了OLED的寿命，引起了人们的广泛关注。特别是由于有机分子结构复杂，产生坏点的原因变化多样，在同一个OLED器件的不同区域可能存在各种不同原因产生的坏点。常见的产生机理有分子聚集、厚度不均、基板污染、局部短路等。因此，对微区进行在线光谱分析将是一种很好的方法，可以从一开始就监测坏点的产生，分析其降解机理。

光谱成像技术是表征空间分布不均匀性的良好工具。目前，光致发光和拉曼散射的成像技术已经实现了对单分子检测的高灵敏度和亚微米的空间分辨率。拉曼散射映射可用于分析局部非均匀性，如材料分布，载流子分布，缺陷和位错。然而，由于单一光谱所含信息的局限性，仅用一种光谱方法很难确定坏点形成的起源。目前的成像研究大多只使用一种光谱，多光谱的综合分析技术比较困难。

发明内容

为了克服现有技术存在的缺陷与不足，本发明提供一种OLED器件在线质量检测方法，本发明通过在OLED器件同一位置收集多种光谱信号，联合在线分析，同时得到缺陷成因、缺陷数量、缺陷大小等信息，在早期预测坏点的生成，并且明确坏点的成因，从而提高良品率。

本发明的第二目的在提供一种OLED器件在线质量检测系统。

本发明的第三目的在于提供一种计算设备。

本发明的第四目的在于提供一种存储介质。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种OLED器件在线质量检测方法，包括下述步骤：

用起始电压驱动点亮OLED器件，进行EL检测；

使用拉曼光谱仪对OLED器件进行成像，在无激发光源的条件下，收集OLED器件电致发光EL谱信息；

通过峰强信息成像得到EL谱各层EL成像图，确认坏点信息；

基于确认的坏点信息，在缺陷位置采用激光激发，收集记录PL及Raman谱信息；

通过峰强信息成像得到PL及Raman谱信息各层对应缺陷位置的PL及Raman成像图，PL成像图的峰强与活性层聚集程度正相关，Raman成像图的峰强与活性层厚度正相关；