[发明专利]一种雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包含第一导电类型衬底的基板，与所述衬底具有相同导电材料的保护环结构，所述保护环范围内包含与第一电极相连接的第一导电类型的第一掺杂区，所述保护环的外部范围包含与第二电极相连接的有源区，所述有源区包含第一类型掺杂与第二类型掺杂形成的PN结结构。

2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区被具有第一掺杂类型的第二掺杂区包围。

3.如权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区的第一类型导电材料掺杂浓度大于所述第二掺杂区浓度。

4.如权利要求3所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述基板纵深方向深度大于所述第二掺杂区的区域中还包含与所述第二掺杂区相连接的掺杂第一类型导电材料的第三掺杂区，所述第三掺杂区的第一类型导电材料掺杂浓度小于所述第二掺杂区浓度。

5.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述PN结结构的第二类型导电材料掺杂的第四掺杂区与所述第二电极相连接。

6.如权利要求5所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述PN结结构的第二类型导电材料掺杂的第四掺杂区与所述第二电极之间，还包含掺杂浓度高于所述第四掺杂区第二类型导电材料掺杂浓度第五掺杂区。

7.如权利要求5所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述基板纵深方向深度大于所述第二类型导电材料掺杂的第四掺杂区连接掺杂第一类型导电材料的第六掺杂区形成所述PN结结构，所述的第四掺杂区与所述的第六掺杂区之间包含所述二极管的有源区。

8.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述有源区包含隔离结构，所述隔离结构将所述有源区分割为不少于两个的独立有源区。

9.如权利要求8所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述不少于两个独立的有源区连接至少部分相同的处理电路。

10.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一电极电压小于所述第二电极的电压，且所述第二电极在至少部分时间段内大于所述雪崩二极管的阈值电压。

11.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一电极电压为负电压，且其绝对值大于所述第二电极的电压。

12.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述保护环的最小宽度大于预设宽度。

13.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一类型的掺杂材料为P型掺杂材料，所述第二类型的掺杂材料为N型掺杂材料。