[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，其包括半导体存储器，其中所述半导体存储器包括：

磁性隧道结MTJ结构，其包括自由层、钉扎层和隧道阻挡层，所述自由层具有可变的磁化方向，所述钉扎层具有固定的磁化方向，所述隧道阻挡层插设于所述自由层与所述钉扎层之间；和

热稳定性增强层TSEL，其包括具有Fe-O键的均质材料。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器包括合成反铁磁SAF结构，所述SAF结构设置在所述隧道阻挡层上方，并且所述TSEL设置在所述自由层下方。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器包括合成反铁磁SAF结构，所述SAF结构设置在所述隧道阻挡层下方，并且所述TSEL设置在所述自由层上方。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述TSEL包括Fe-O-X合金，并且X包括Co、B、Mn、Cu、Al、Si、Ti、V、Cr、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta、Ru、Pt、Rh、Ir、Mg、Sr、Ba或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述TSEL包括Fe-Ir-O-X合金，并且X包括Co、B、Mn、Cu、Al、Si、Ti、V、Cr、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta、Ru、Pt、Rh、Mg、Sr、Ba或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器进一步包括：中间层，其具有体心立方(001)结构并且插设于所述隧道阻挡层与所述钉扎层之间。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述中间层包括Co、Fe、Ni、B、贵金属或它们的组合。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器进一步包括：

偏移消除层，其磁化方向与所述钉扎层反向平行；和

间隔层，其插设于所述钉扎层与所述偏移消除层之间，

其中，所述钉扎层和所述偏移消除层形成经由所述间隔层的反铁磁交换耦合，以形成合成反铁磁SAF结构。

9.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括数据储存系统，其包括：

储存设备，其被配置为在没有电源的情况下储存数据并保持所储存的数据；

控制器，其被耦接到所述储存设备并且被配置为根据从外部设备输入的命令来控制对所述储存设备的数据传输和来自所述储存设备的数据传输；

临时储存设备，其被耦接到所述储存设备和所述控制器，并被配置为临时储存在所述储存设备与所述外部设备之间传送的数据；和

接口，其被配置为执行在所述储存设备、所述控制器、所述临时储存设备中的至少一个与所述外部设备之间的通信，

其中，所述储存设备或所述临时储存设备中的至少一个包括所述半导体存储器。

10.根据权利要求1所述的电子设备，进一步包括存储系统，其包括：

存储器，其被配置为在没有电源的情况下储存数据并保持所储存的数据；

存储器控制器，其被耦接到所述存储器并且被配置为根据从外部设备输入的命令来控制对所述存储器的数据传输和来自所述存储器的数据传输；

缓冲存储器，其被配置为临时储存在所述存储器与所述外部设备之间移动的数据；和

接口，其被配置为执行在所述存储器、所述存储器控制器、所述缓冲存储器中的至少一个与所述外部设备之间的通信，

其中，所述存储器或所述缓冲存储器中的至少一个包括所述半导体存储器。