[发明专利]一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法在审
| 申请号： | 202011350907.2 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112479155A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄智鹏;刁梦娟 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02F1/355;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 硫化 纳米 非线性 光学 性能 方法 | ||
1.一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，取二硫化锡纳米片，采用经蚀刻机产生的等离子体对其进行刻蚀处理，即实现二硫化锡纳米片非线性光学性能的增强。
2.根据权利要求1所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，通入蚀刻机中的刻蚀气体为氩气、氮气、氦气或氧气。
3.根据权利要求2所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，通入蚀刻机中的刻蚀气体为氩气。
4.根据权利要求1所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，通入蚀刻机中的刻蚀气体的流量不大于200sccm，压力不大于100Pa。
5.根据权利要求4所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，刻蚀气体的流量为40sccm，压力为40Pa。
6.根据权利要求1所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，刻蚀处理的时间不超过30min。
7.根据权利要求6所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，刻蚀处理的时间为20-60s。
8.根据权利要求7所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，刻蚀处理的时间为40s。
9.根据权利要求1所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，产生等离子体的蚀刻机的感应耦合射频源的功率不大于300W。
10.根据权利要求9所述的一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，其特征在于，产生等离子体的蚀刻机的感应耦合射频源的功率为100W。
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