[发明专利]布拉格光栅芯片在审
| 申请号： | 202011350444.X | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112346263A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈亦凡;严亭 | 申请（专利权）人： | 苏州易锐光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布拉格 光栅 芯片 | ||
1.一种布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅芯片包括单晶硅基板、设置在所述单晶硅基板上的二氧化硅层、设置在所述二氧化硅层上的布拉格光栅、以及设置在所述布拉格光栅上的负热光系数材料，所述布拉格光栅芯片的反射谱中心波长在环境温度变化1k的漂移量基本为零。
2.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅的材料为铌酸锂晶体材料。
3.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅包括若干沟槽，所述若干沟槽设置在所述布拉格光栅的顶面。
4.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅包括若干沟槽，所述若干沟槽设置在所述布拉格光栅的至少一个侧面。
5.如权利要求3或4所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅的沟槽可以由矩形波导、梯型波导、脊型波导中的任一个刻蚀得到。
6.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅为均匀光栅、非均匀光栅、采样光栅中的任一种。
7.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅芯片还包括设置在所述负热光系数材料上的包层，所述包层的材料为二氧化硅或氮化硅。
8.如权利要求7所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述布拉格光栅芯片还包括设置在所述包层上的金属电极，所述金属电极通电得到中心波长可调谐的布拉格光栅芯片。
9.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述负热光系数材料可选自包括二氧化钛、氧化锌、镁掺杂氧化锌、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、甲胺氯铅酸盐中的任一种或多种。
10.如权利要求1所述的布拉格光栅芯片，其特征在于，所述热光系数材料的厚度基于光谱仿真确定。
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