[发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

权利要求书

1.一种电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层上制备隔离层；

利用离子注入法和键合法，或者，利用键合法和研磨抛光法，在所述隔离层上制备功能薄膜层；其中，所述利用离子注入法和键合法，在所述隔离层上制备功能薄膜层包括：

向薄膜基体中进行离子注入，将所述薄膜基体依次分为功能薄膜层、分离层和余质层；

将薄膜基体的离子注入面与隔离层键合，得到键合体；

对所述键合体进行热处理，将所述余质层与所述功能薄膜层分离；

所述薄膜基体是用于形成所述功能薄膜层的基础材料；

其中，所述隔离层的热膨胀系数等于薄膜基体的热膨胀系数，将具有第一温度的薄膜基体和具有第二温度的隔离层键合，得到键合体，其中，第一温度小于第二温度；将所述键合体置于第三温度下，在所述薄膜基体内形成压应力，同时在所述隔离层内形成拉应力，其中，所述第三温度大于所述第一温度，且第三温度小于或等于所述第二温度；或者，所述第三温度大于所述第一温度和所述第二温度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离层与所述薄膜基体采用相同材质，所述隔离层为铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、磷酸钛氧钾晶体、磷酸钛氧铷晶体、硅、砷化镓、石英、氮化硅、碳化硅或二氧化硅材料。

3.一种电光晶体薄膜，其特征在于，所述电光晶体薄膜采用如权利要求1所述的电光晶体薄膜的制备方法制备而成。

4.根据权利要求3所述的电光晶体薄膜，其特征在于，所述电光晶体薄膜中隔离层与功能薄膜层采用相同材质，所述隔离层为铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、磷酸钛氧钾晶体、磷酸钛氧铷晶体、硅、砷化镓、石英、氮化硅、碳化硅或二氧化硅材料。

5.根据权利要求3所述的电光晶体薄膜，其特征在于，所述电光晶体薄膜中功能薄膜层中具有的压应力大于1Mpa。

6.一种电子元器件，其特征在于，包括权利要求3-5任一所述的电光晶体薄膜。