[发明专利]静电卡盘系统和半导体加工设备在审
申请号: | 202011348174.9 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN112490173A | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 吴东煜 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;魏艳新 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 系统 半导体 加工 设备 | ||
1.一种静电卡盘系统,其特征在于,包括:基座、控制模块、绝缘层、多个选通模块以及至少一个补偿电容;
所述绝缘层设置在所述基座上,所述绝缘层中设置有射频馈入层和位于所述射频馈入层远离所述基座一侧的射频调节层,所述射频馈入层与所述射频调节层之间绝缘且间隔设置,所述射频馈入层用于与提供射频信号的射频电源连接,所述射频调节层包括多个彼此绝缘间隔的调节部;所述调节部和所述射频馈入层均具有导电性;
多个所述选通模块与多个所述调节部一一对应,每个所述调节部与相应的所述选通模块的第一端连接,所述选通模块的第二端与所述补偿电容的一端连接,所述补偿电容的另一端与接地端连接;所述控制模块用于控制所述选通模块的第一端与第二端的导通或断开。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘系统,其特征在于,所述绝缘层中还设置有静电电极,所述静电电极用于与提供直流信号的供电端连接,所述静电电极位于所述射频调节层远离所述射频馈入层的一侧,且所述静电电极与所述射频调节层绝缘间隔。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘系统,其特征在于,所述调节部在所述基座上的正投影的形状为圆形、三角形或矩形;
多个所述调节部的大小相等,且均匀分布在所述绝缘层中。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘系统,其特征在于,多个所述调节部均为矩形,且多个所述调节部在所述基座上的正投影的总面积与所述绝缘层在所述基座上的正投影的面积之比大于96%。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的静电卡盘系统,其特征在于,所述控制模块具体用于根据多个所述调节部所在位置的刻蚀速度的大小关系,控制多个选通模块的第一端与第二端依次导通。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的静电卡盘系统,其特征在于,所述静电卡盘系统包括多个所述补偿电容,多个所述补偿电容与多个所述选通模块一一对应连接。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的静电卡盘系统,其特征在于,所述补偿电容为可变电容,所述控制模块还用于调整所述补偿电容的电容值。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的静电卡盘系统,其特征在于,多个所述调节部的厚度均相同,且厚度为0.01mm至0.1mm,相邻两个所述调节部之间的间距大于0.1mm。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的静电卡盘系统,其特征在于,所述射频馈入层在所述基座上的正投影的形状为圆形,所述射频馈入层的厚度为0.01mm至0.1mm,所述射频馈入层的直径为285mm至295mm。
10.一种半导体加工设备,其特征在于,包括:反应腔室、射频电源和如权利要求1至9中任意一项所述的静电卡盘系统,所述静电卡盘系统的基座设置于所述反应腔室内,所述射频电源与所述静电卡盘系统中的射频馈入层电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造