[发明专利]基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(4)、底电极(3)、介质层(2)和顶电极(1)；所述介质层(2)为由Ag-In-Zn-S量子点制成的材料膜；所述介质层(2)的底部与所述底电极(3)的顶部接触，所述介质层(2)的顶部与所述顶电极(1)的底部相接触。

2.根据权利要求1所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器，其特征在于，所述顶电极(1)为Ag层，Ag层的厚度为100nm；所述底电极(3)为Pt层，Pt层的厚度为100nm；所述衬底(4)层为硅衬底层。

3.根据权利要求1所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器，其特征在于，所述底电极(3)设置于衬底(4)上。

4.根据权利要求1所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器，其特征在于，所述底电极(3)和所述顶电极(1)使用不同的掩模版制备而成。

5.一种基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、衬底清洗：将衬底(4)进行清洗处理，依次经过超纯水超声、丙酮超声、乙醇超声清洗，每次清洗15min；

步骤2、衬底干燥：对经过步骤1清洗处理后的衬底(4)做干燥处理，将衬底(4)取出放入培养皿，置于烘干箱中在80℃下烘干20min取出；

步骤3、底电极沉积：在经过步骤2干燥处理后的衬底(4)中心处固定第一层掩膜版，并将衬底(4)固定在溅射腔的靶台上、将腔内抽至真空状态后开始溅射，将底电极材料作为溅射源，通过磁控溅射仪溅射沉积，使底电极材料均匀、完全覆盖在衬底(4)上表面，得到底电极(3)；

步骤4、介质层制备：将Ag-In-Zn-S量子点材料与甲苯溶液混合制得量子点材料与甲苯的混合溶液，真空环境下，将该混合溶液通过甩胶机旋涂在步骤3所得底电极(3)上，退火处理后形成Ag-In-Zn-S量子点材料膜的介质层(2)；

步骤5、顶电极沉积：烘干步骤4所得Ag-In-Zn-S量子点材料膜的介质层(2)，在其上固定第二层掩模版，选取顶电极材料作为溅射源，在Ag-In-Zn-S量子点材料膜的介质层(2)上通过溅射沉积，使顶电极材料均匀、完全覆盖在Ag-In-Zn-S量子点材料膜的介质层(2)上表面，得到顶电极(1)。

6.根据权利要求5所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤4中制备的量子点材料与甲苯的混合溶液浓度为3.2mg/ml。

7.根据权利要求5所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，选取Pt靶材作为溅射源；设定磁控溅射仪的功率为100W，不进行加热处理，设置溅射时长为18min31s。

8.根据权利要求5所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤4中甩胶机转速为2000r/min，旋涂时间为60秒。

9.根据权利要求5所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤4中退火处理温度为80摄氏度，退火时间为20分钟。

10.根据权利要求5所述的基于Ag-In-Zn-S量子点的低功耗忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤3中底电极(3)通过物理气相沉积法溅射形成在所述衬底(4)上；步骤4中介质层(2)通过旋涂形成在所述底电极(3)上；步骤5中顶电极(1)通过物理气相沉积法溅射形成在所述介质层(2)上。