[发明专利]直接键合有吸气剂材料的薄密封层的制造检测装置的方法

权利要求书

1.一种制造用于检测电磁辐射的装置(1)的方法，包括以下步骤：

o形成第一堆叠件(10)，包括：

·第一衬底(11)，

·至少一个热检测器(20)，其放置在所述第一衬底(11)上，旨在用于检测电磁辐射，并且覆盖有至少一个由矿物材料制成的矿物牺牲层(15)，所述矿物牺牲层能够通过化学蚀刻来消除，和

·薄封装层(16)，其在所述热检测器(20)上方延伸并有助于腔(2)的界定，所述热检测器(20)位于所述腔中，所述薄封装层包括放置在所述矿物牺牲层(15)上的上部(16.1)；

o形成至少一个被称为横向进出口(17.1)的进出口，所述进出口延伸穿过所述薄封装层(16)，并且在与所述第一衬底(11)的平面平行的平面中与所述热检测器(20)相距一定距离；

o通过化学蚀刻消除所述牺牲薄层(15)，所述牺牲薄层通过所述横向进出口(17.1)排出；

其特征在于，所述方法包括以下步骤：

o形成第二堆叠件(30)，包括：

·支撑衬底(31、32)，

·称为密封层(33)的薄层，其对电磁辐射是透明的，以及

·至少一个吸气剂部分(34)，其定位在所述薄密封层(33)上并且部分覆盖所述薄密封层；

o在消除步骤之后，通过使所述薄密封层与所述薄封装层的上部接触并使其与之直接键合来组装所述第一堆叠件和第二堆叠件(10、30)，从而使所述吸气剂部分(34)位于横向进出口(17.1)中，然后所述横向进出口由所述薄密封层(33)堵塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过直接键合的组装的步骤在环境温度下在小于或等于10^-5Pa的真空压力下进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一堆叠件(10)包括位于所述腔(2)中的热检测器(20)的阵列，包括形成多个第二释放进出口(17.2)的步骤，所述薄密封层(33)还堵塞所述第二释放进出口(17.2)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述薄密封层(16)是硅基的，并且所述薄密封层(33)能够是硅基的或锗基的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述薄封装层(16)能够具有由硅制成的接触表面，并且所述薄密封层(33)能够具有由硅或锗制成的接触表面，并且其中，通过直接键合的组装的步骤包括通过局部离子束蚀刻和真空键合来激活所述接触表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述薄封装层(16)的上部(16.1)通过由硅制成的子层(18)和第一金属子层(19)形成，所述薄密封层(33)由硅基或锗基的子层(35)和第二金属子层(36)形成，所述两个金属子层(19、36)对待检测的电磁辐射是透明的，并且其中，通过直接键合的组装的步骤包括使所述两个金属子层(19、36)在真空下彼此接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属子层(19、36)均具有小于或等于1nm的厚度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属子层(19、36)由与所述吸气剂部分(34)相同的材料制成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一堆叠件(10)包括多个热检测器(20)的阵列，每个热检测器的阵列位于不同的腔(2)中，所述不同的腔至少部分地由所述薄封装层(16)界定，所述薄密封层(33)与不同的薄封装层(16)的上部(16.1)接触，以堵塞相应的不同的横向进出口(17.1)。