[发明专利]一种非制冷红外器件及其制作方法有效
| 申请号: | 202011338750.1 | 申请日: | 2020-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN112611467B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 张剑;傅剑宇;侯影;刘超;冯万进;黄鹏;周琼;陈大鹏 | 申请(专利权)人: | 无锡物联网创新中心有限公司 |
| 主分类号: | G01J5/10 | 分类号: | G01J5/10;B81C1/00 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制冷 红外 器件 及其 制作方法 | ||
本发明涉及红外探测技术领域,具体公开了一种非制冷红外器件,包括:敏感区、悬臂梁、框架、有源器件和金属引线,其中,所述敏感区通过所述悬臂梁与所述框架机械连接,并悬空;所述有源器件位于所述框架上,并通过所述悬臂梁与所述敏感区电学连接;所述金属引线位于所述有源器件上,将有源器件信号引出。本发明还公开了一种非制冷红外器件的制作方法。本发明通过简单的结构以及与器件兼容的MEMS工艺,实现了一种具有开关与放大功能的非制冷红外器件,该器件可与电路分别制造,且后期通过打线集成;从而克服现有的单片集成和3D集成为实现制作,器件和电路的性能需彼此妥协的问题。
技术领域
本发明涉及红外探测技术领域,尤其涉及一种非制冷红外器件及其制作方法。
背景技术
近年来,红外探测领域蓬勃发展,尤其是非制冷红外成像技术的突破,解决了红外成像技术中最为突出的低温(~77K)冷却工作的要求;同时与读出电路的大规模或超大规模集成,使得红外热像仪具有了高密度、小型化、便携带的优点。
非制冷红外器件是红外热像仪的核心器件,为使非制冷红外器件的信号便于处理,通常需要配备读出电路,用于对器件进行信号选择、放大、滤波、AD转换等功能。目前,器件与读出电路的集成主要有单片集成和3D集成两种形式。其中,单片集成采用CMOS工艺将器件与电路制作在同一个晶圆上;3D集成则是在电路片上通过MEMS工艺继续制作器件来实现。这两种形式中,虽然器件和电路的功能彼此独立;但是,无论两部分的加工工艺是同时制作,还是串行制作,为了兼容彼此,各自的性能都会有所妥协。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供了一种非制冷红外器件及非制冷红外器件的制作方法,器件通过简单的结构以及与其兼容的MEMS工艺,实现了一种具有开关与放大功能的非制冷红外器件,该器件可与电路分别制造,且后期通过打线集成;从而克服现有的单片集成和3D集成为实现制作,器件和电路的性能需彼此妥协的问题。
作为本发明的一个方面,提供一种非制冷红外器件,包括:敏感区、悬臂梁、框架、有源器件和金属引线,其中,所述敏感区通过所述悬臂梁与所述框架机械连接,并悬空;所述有源器件位于所述框架上,并通过所述悬臂梁与所述敏感区电学连接;所述金属引线位于所述有源器件上,将有源器件信号引出。
进一步地,所述框架包括衬底和支撑层,所述敏感区包括支撑层、功能材料层和红外吸收层,所述悬臂梁包括支撑层、导线层和导线保护层,所述有源器件包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极和有源区介质层,且所述源电极和漏电极均与有源层相连接,其中,所述衬底上设置有所述支撑层,所述支撑层上分别设置有所述功能材料层、导线层以及栅电极,所述功能材料层上设置有所述红外吸收层,所述导线层上设置有所述导线保护层,所述栅电极上设置有所述栅绝缘层,所述栅绝缘层上设置有所述有源层,所述有源层上分别设置有所述源电极和漏电极,所述有源层、源电极以及漏电极上均设置有所述有源区介质层,所述栅电极连接所述金属引线,所述源电极或漏电极连接所述金属引线;其中,所述衬底的正面或背面设置有隔热空腔以悬空所述敏感区。
进一步地,所述框架包括衬底和支撑层,所述敏感区包括支撑层、功能材料层和红外吸收层,所述悬臂梁包括支撑层、导线层和导线保护层,所述有源器件包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极和有源区介质层,且所述源电极和漏电极均与有源层相连接,其中,所述衬底上设置有支撑层,所述支撑层上分别设置有功能材料层、导线层、有源层,所述功能材料层上设置有所述红外吸收层,所述导线层上设置有所述导线保护层,所述有源层上分别设置有所述栅绝缘层、源电极和漏电极,所述栅绝缘层中设置有所述栅电极,所述有源层、源电极以及漏电极上均设置有所述有源区介质层,所述栅电极连接所述金属引线,所述源电极或漏电极连接所述金属引线;其中,所述衬底的正面或背面设置有隔热空腔以悬空所述敏感区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡物联网创新中心有限公司,未经无锡物联网创新中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011338750.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





