[发明专利]一种空洞的量测方法

权利要求书

1.一种空洞的量测方法，其特征在于，应用于扫描透射电子显微镜，所述方法包括：

获取待测结构，其中，所述待测结构包括至少一个空洞；

对所述待测结构进行减薄处理，得到处理后的待测结构，其中，所述处理后的待测结构在与所述空洞的延伸方向垂直的方向上具有第一预设厚度；

采集所述处理后的待测结构的扫描透射电子暗场图像；

通过所述扫描透射电子暗场图像，对所述空洞进行量测。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述扫描透射电子暗场图像，对所述空洞进行量测，包括：

对所述扫描透射电子暗场图像进行处理，得到所述处理后的待测结构的衬度分布曲线；

通过所述衬度分布曲线，确定所述空洞的边界，以实现对所述空洞的量测。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述空洞的量测，包括获取所述空洞的尺寸、位置、形貌中的一种或几种信息。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具有所述第一预设厚度的待测结构在所述扫描透射电子显微镜下的质厚衬度大于衍射衬度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一预设厚度在100nm至150nm之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集所述处理后的待测结构的扫描透射电子暗场图像，包括：

通过所述扫描透射电子显微镜的低收集角探头，收集穿透所述具有第一预设厚度的待测结构的中角散射电子，以形成所述扫描透射电子暗场图像；

其中，所述低收集角探头能够收集位于第一预设毫弧度和第二预设毫弧度之间的中角散射电子，所述第一预设毫弧度小于所述第二预设毫弧度，且所述第二预设毫弧度小于160。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述低收集角探头能够收集位于25mrad至100mrad的所述中角散射电子。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过所述衬度分布曲线，确定所述空洞的边界，以实现对所述空洞的量测，包括：

确定所述衬度分布曲线中相邻的第一转折点和第二转折点，其中，所述第一转折点和所述第二转折点为所述衬度分布曲线中相邻的两个极小值点；

根据所述第一转折点和第二转折点确定所述空洞的第一边界线和第二边界线，以确定所述空洞的边界；

将所述第一边界线和所述第二边界线之间的垂直距离，确定为所述空洞的尺寸，以实现对所述空洞的量测。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测结构至少包括：接触孔；所述空洞位于所述接触孔内。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔为三维存储器中的接触孔，所述空洞位于所述接触孔的中心。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述对所述待测结构进行减薄处理，得到处理后的待测结构，包括：

采用聚焦离子束，沿所述空洞的延伸方向，对所述接触孔的位于平行于所述空洞的延伸方向的相对的两个侧面，分别减薄相同的厚度，得到处理后的接触孔。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测结构进行减薄处理，得到处理后的待测结构，包括：

通过所述聚焦离子束的第一模式，将所述待测结构减薄至第二预设厚度，得到具有第二预设厚度的待测结构；

通过所述聚焦离子束的第二模式，将所述具有第二预设厚度的待测结构减薄至所述第一预设厚度，得到具有所述第一预设厚度的待测结构；

其中，所述第一预设厚度与所述第二预设厚度之间的差值小于阈值，所述第一模式包括Cleanning模式，所述第二模式包括Rectangle模式。