[发明专利]硅片抛光方法和硅片抛光设备

说明书

本发明涉及一种硅片抛光方法，包括：步骤1：在第一预设抛光条件下，通过研磨液对硅片的边缘进行抛光；步骤2：在第二预设抛光条件下，通过具有预设含量的高分子聚合物的表面活化剂对硅片的边缘进行抛光，以减小硅片的边缘的粗糙度。本发明还涉及一种硅片抛光设备。通过包含有高分子聚合物的表面活化剂的使用，减小硅片边缘的粗糙度，提升硅片边缘部分的平坦度并防止颗粒物粘附在硅片边缘表面上，且还可防止硅片边缘被金属污染。

技术领域

本发明涉及硅片产品制作技术领域，尤其涉及一种硅片抛光方法和硅片抛光设备。

背景技术

硅片在完成边缘抛光后，进行下一加工工序以及检测工序前，因加工顺序或其他因素导致产品在等待区等待时，因产品是放置在开放式片盒(Open Cassette)中保存等待，硅片边缘容易粘附颗粒物。且在放置保存状态下，硅片在开放式片盒中竖向放置，因此更易受到环境影响，导致边缘部分容易粘附颗粒物并且容易受到金属污染。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片抛光方法和硅片抛光设备，解决硅片抛光后，硅片边缘粗糙度仍然较大而导致的容易粘附颗粒物的问题。

为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：一种硅片抛光方法，包括：

步骤1：在第一预设抛光条件下，通过研磨液对硅片的边缘进行抛光；

步骤2：在第二预设抛光条件下，通过研磨组合物对硅片的边缘进行抛光，以减小硅片的边缘的粗糙度；

其中，所述研磨组合物包括非离子型表面活化剂，所述非离子型表面活化剂包括高分子聚合物，且所述研磨组合物的PH值位于4～5之间。

可选的，所述研磨组合物包括盐酸或氢氟酸。

可选的，所述第一预设抛光条件包括：研磨液的供给速度为：1～5L/min，对硅片进行边缘抛光的抛光头的转速为100～500rpm，抛光时间为小于1min。

可选的，所述第二抛光条件与所述第一抛光条件相同。

可选的，在步骤1之前还包括：

步骤01：在第三预设抛光条件下对硅片进行凹槽抛光加工。

可选的，所述第三预设抛光条件包括：研磨液的供给速度为：1～5L/min，对硅片进行凹槽抛光的抛光头的转速为500～800rpm，抛光时间为20～60sec，抛光角度为30～60度。

可选的，所述高分子聚合物的分子量大于200k，所述高分子聚合物的含量为0.1～1％。

本发明实施例还提供一种抛光设备，应用于上述的硅片抛光方法，包括凹槽抛光单元和边缘抛光单元；

所述凹槽抛光单元包括能够承载硅片的第一抛光盘和设置于所述第一抛光盘一侧的第一抛光头；

所述边缘抛光单元包括：能够承载硅片的第二抛光盘和设置于所述第二抛光盘周向的第二抛光头。

本发明的有益效果是：通过包含有高分子聚合物的表面活化剂的使用，减小硅片边缘的粗糙度，提升硅片边缘部分的平坦度并防止颗粒物粘附在硅片边缘表面上，且还可防止硅片边缘被金属污染。

附图说明

图1表示本发明实施例中硅片抛光方法流程示意图；

图2表示本发明实施例中硅片设备部分结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。