[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成金属材料层；

对所述金属材料层执行离子轰击工艺去除至少部分所述金属材料层顶表面凸起的金属晶粒；

刻蚀所述金属材料层以形成金属栅格层。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述离子轰击工艺中用于轰击所述金属材料层的离子为惰性元素离子和/或氮离子。

3.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述金属材料层执行离子轰击工艺的方法包括：

将形成有所述金属材料层的衬底置于一工艺腔室中，并向所述工艺腔室内通入待解离气体，对位于所述工艺腔室内的解离电极通电，以使所述待解离气体解离以生成用于轰击所述金属材料层的离子；以及，

在使所述待解离气体解离的同时，对所述工艺腔室中的离子加速电极通电，以使所述离子朝向所述金属材料层加速运动，以轰击所述金属材料层。

4.如权利要求3所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述解离电极通电的第一供电器的功率为320W～540W，频率为1.5～2.5MHz。

5.如权利要求3所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述离子加速电极通电的第二供电器的功率为：180W～320W，频率为1.5～2.5MHz。

6.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，执行所述离子轰击工艺的时间为：20s～120s。

7.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述金属材料层，以及对所述金属材料层执行离子轰击工艺在同一工艺腔室中进行。

8.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，执行所述离子轰击工艺之后的所述金属材料层表面的最高点和最低点的高度差小于等于100nm。

9.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成金属材料层的方法为化学气相沉积法。

10.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，在对所述金属材料层执行离子轰击工艺之前，所述方法还包括：对形成有金属材料层的衬底进行加热，所述加热温度为：150℃-200℃，加热时间为30s～60s。

11.一种背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器根据如上述权利要求1～10任意一项所述的背照式图像传感器的制造方法制备而成。