[发明专利]一种高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路在审
申请号: | 202011333112.0 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112615592A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 周丽;吴昌勇;揭海;王安劳;余雷;曾超;杜立新 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/20 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 贾年龙 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 能力 小型化 自适应 温度 补偿 电路 | ||
1.一种高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,包括负压线性稳定器、输入端电容Ci、输出端电容Co、固定电阻Ro、可调电阻Radj和热敏电阻Rc,所述负压线性稳压器的IN端与输入端电容Ci的一端连接并连接输入电压Vs,所述负压线性稳压器的OUT端分别与固定电阻Ro的一端和输出端电容Co的一端连接并连接输出电压Vg,所述负压线性稳压器的ADJ端分别与固定电阻Ro的另一端、可调电阻Radj的一端和热敏电阻Rc的一端连接,所述输入端电容Ci的另一端、输出端电容Co的另一端、可调电阻Radj的另一端、热敏电阻Rc的另一端和负压线性稳压器均连接到地。
2.根据权利要求1所述的高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,所述输入端电容Ci和输出端电容Co均为片式瓷介电容或片式钽电容。
3.根据权利要求1所述的高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,所述输入端电容Ci和输出端电容Co的典型容值均为1uf~10uf。
4.根据权利要求1所述的高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,所述输出电压Vg在不同温度下的栅电压量值由GaN放大器增益-栅压关系曲线和所需要的补偿量确定。
5.根据权利要求1所述的高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,所述输入电压Vs和输出电压Vg满足压差ΔV时,输出电压Vg与输入电压Vs无关,仅与固定电阻Ro、可调电阻Radj和热敏电阻Rc有关。
6.根据权利要求5所述的高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,所述压差ΔV大于或等于2V。
7.根据权利要求1所述的高驱动能力的小型化自适应温度补偿电路,其特征在于,所述输出电压Vg的计算公式为:
上式中,Rc为热敏电阻Rc的电阻值,Radj为可调电阻Radj的电阻值,Ro为固定电阻Ro的电阻值。
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