[发明专利]碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011331289.7 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN112359259A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 羊求民;唐彦渊;陈丽勇;徐国钻;毛莉 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: C22C29/08 分类号: C22C29/08;C22C1/05;B22F1/00;C01G41/02
代理公司: 西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61237 代理人: 麦春明
地址: 341000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 均匀分布 晶粒 抑制 元素 均匀 双晶 硬质合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S10、制备碳、晶粒抑制元素均匀分布的氧化钨粉末:

S11、按照钨酸铵溶液中WO3、葡萄糖、含晶粒抑制剂元素的水溶性盐的质量比为1~4:0.2~4:0.016~0.2的比例,分别称取钨酸铵溶液、葡萄糖、含晶粒抑制剂元素的水溶性盐;

S12、将S11中称取的葡萄糖、含晶粒抑制剂元素的水溶性盐加入至称取的钨酸铵溶液中,形成体系,并向体系中添加水至体系中WO3含量为100g/L~150g/L,充分搅拌至葡萄糖、含晶粒抑制剂元素的水溶性盐完全溶解、体系均匀混合,得到混合液;

S13、将S12中得到的混合液进行喷雾干燥,得到前驱体粉末;

S14、在惰性气氛下,将S13中得到的前驱体粉末在300℃~600℃的温度条件下煅烧0.5h~2h,获得碳、晶粒抑制元素均匀分布的氧化钨粉末;

S20、将碳、晶粒抑制元素均匀分布的氧化钨粉末、粗WC粉末、钴粉、石蜡按照质量百分比为10wt%~40wt%:50wt%~80wt%:4wt%~12wt%:0.5wt%~2wt%的比例混合,所得混合物经球磨处理,所得球磨产物经干燥、研磨处理,得到球磨混料;

S30、球磨混料经压制成型,所得造型体在惰性气氛下,升温至烧结温度1410℃~1470℃,然后施加压力0.5MPa~6MPa,进行加压保温0.5h~4h,冷却后所得产物即为碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金。

2.根据权利要求1所述的碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,S11中,所述含晶粒抑制剂元素的水溶性盐包括水溶性的铼盐、铬盐、稀土盐、钒盐中的任一种。

3.根据权利要求2所述的碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,所述稀土盐为钇盐或铈盐。

4.根据权利要求1所述的碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,S11中,所述钨酸铵溶液中的WO3含量为200g/L~300g/L。

5.根据权利要求1所述的碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,S13中,所述喷雾干燥的工艺条件具体为:喷雾干燥采用压力式喷雾干燥机,进口温度150℃~280℃,出口温度100℃~150℃,进料速度200ml/min~500ml/min。

6.根据权利要求1所述的碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,S20中,所述粗WC粉末的粒径范围是3μm~100μm。

7.根据权利要求1所述的碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金的制备方法,其特征在于,S20中,所述球磨处理的工艺条件具体为:球磨的转速为100r/min~200r/min,球磨的时间为1h~10h,球磨的介质为无水乙醇。

8.碳均匀分布的含晶粒抑制元素的非均匀双晶硬质合金,根据权利要求1~8中任一项所述的制备方法制备而成。

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