[发明专利]一种低旁瓣线阵换能器及降低旁瓣权系数的方法

权利要求书

1.一种低旁瓣线阵换能器，其特征在于，包括：

阵元，所述阵元设有多个；

基座，所述阵元固定所述基座上，所述基座上设有正极引线和负极引线；

第一去耦隔振块，所述第一去耦隔振块设有多个，且位于相邻的所述阵元之间，用于所述阵元之间去耦隔振；

第二去耦隔振块，所述第二去耦隔振块设有多个，且位于所述阵元与所述基座之间，用于所述阵元与所述基座之间去耦隔振；

壳体，所述基座固定在所述壳体的内部，且位于所述壳体的开口端；及

水密包覆层，所述水密包覆层设置在所述壳体的开口端，用于将所述阵元、所述基座、所述第一去耦隔振块和所述第二去耦隔振块均密封在所述壳体内；

其中，多个所述阵元组成基础电压组和不少于一个的加权电压组，所述基础电压组和所述加权电压组均并联在所述正极引线和所述负极引线之间；

所述基础电压组包括不少于两个的所述阵元并联；

所述加权电压组包括不少于一个的串联加权组和/或并联加权组；

所述串联加权组包括不少于两个的所述阵元串联；

所述并联加权组包括不少于两个的所述阵元先并联再与不少于一个的所述阵元串联。

2.根据权利要求1所述的一种低旁瓣线阵换能器，其特征在于，

所述阵元不少于十个。

3.根据权利要求1所述的一种低旁瓣线阵换能器，其特征在于，

还包括：胶水，所述胶水位于所述阵元与所述基座之间，用于将所述阵元固定在所述基座上。

4.根据权利要求1所述的一种低旁瓣线阵换能器，其特征在于，还包括：

还包括：水密电缆，所述水密电缆固定在所述壳体上，所述水密封电缆分别与正负极连接。

5.降低旁瓣权系数的方法，其特征在于，

在正负极之间并联多个阵元，其中，部分阵元串联后再并联到正负极之间，部分阵元先并联再串联，最后并联到正负极之间，为阵元提供多种电压权系统。

6.根据权利要求5所述的降低旁瓣权系数的方法，其特征在于，

部分阵元串联后再并联到正负极之间包括不少于两个的阵元串联后再并联在正负之间。

7.根据权利要求5所述的降低旁瓣权系数的方法，其特征在于，

部分阵元先并联再串联，最后并联到正负极之间包括不少于两个的阵元先并联再与不少于一个的阵元串联，最后并联到正负极之间。