[发明专利]三维NAND存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维NAND存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供基底，并在所述基底上形成由介质层和牺牲层交替堆叠的叠层结构，所述叠层结构包括核心存储区及字线连接区；

在所述核心存储区形成沟道孔，并在所述沟道孔中形成存储器膜及沟道层；

在所述字线连接区形成支撑孔，所述支撑孔包括沿第一方向延伸的第一支撑孔及沿第二方向延伸且与所述第一支撑孔连通的第二支撑孔，所述第一方向与所述第二方向互相垂直，其中所述第一支撑孔沿所述第一方向的顶部长度大于所述第一支撑孔沿所述第二方向的顶部长度，所述第二支撑孔沿所述第二方向的顶部长度大于所述第二支撑孔沿所述第一方向的顶部长度；

在所述支撑孔中填充绝缘支撑材料，形成支撑柱。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述叠层结构还包括底部选择栅引出区；在所述字线连接区形成所述支撑孔时，还包括在所述底部选择栅引出区形成所述支撑孔。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一支撑孔沿所述第一方向的顶部长度是所述第一支撑孔沿所述第二方向的顶部长度的两倍以上，所述第二支撑孔沿所述第二方向的顶部长度是所述第二支撑孔沿所述第一方向的顶部长度的一倍到两倍之间。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一支撑孔沿所述第二方向的顶部长度与所述第二支撑孔沿所述第一方向的顶部长度一致。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述第一支撑孔沿所述第一方向的顶部长度介于730nm～770nm之间，所述第一支撑孔沿所述第二方向的顶部长度介于180nm～220nm之间，所述第二支撑孔沿所述第二方向的顶部长度介于300nm～340nm之间，所述第二支撑孔沿所述第一方向的顶部长度介于180nm～220nm之间。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

去除所述叠层结构的所述牺牲层，在相邻的所述介质层之间形成间隙；

在所述间隙中填充栅极层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，去除所述牺牲层包括步骤：

在所述叠层结构中形成栅线隔槽；

通过所述栅线隔槽，采用湿法腐蚀工艺去除所述牺牲层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：沿所述第一方向延伸的第一支撑孔与所述栅线隔槽互相平行。

9.一种三维NAND存储器，其特征在于，包括：

基底；

堆叠结构，形成于所述基底上，所述堆叠结构包括核心存储区及字线连接区，所述核心存储区具有沟道孔，所述沟道孔中形成有存储器膜及沟道层，所述字线连接区具有贯穿所述字线连接区的支撑孔，所述支撑孔中填充有支撑柱；

其中，所述支撑孔包括沿第一方向延伸的第一支撑孔及沿第二方向延伸且与所述第一支撑孔连通的第二支撑孔，所述第一方向与所述第二方向互相垂直，其中所述第一支撑孔沿所述第一方向的顶部长度大于所述第一支撑孔沿所述第二方向的顶部长度，所述第二支撑孔沿所述第二方向的顶部长度大于所述第二支撑孔沿所述第一方向的顶部长度。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：底部选择栅引出区，位于所述字线连接区外，所述底部选择栅引出区具有所述支撑孔，所述支撑孔中填充有所述支撑柱。

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于：所述字线连接区包括阶梯结构，所述阶梯结构上及所述底部选择栅引出区覆盖有绝缘层，所述绝缘层中具有通孔，所述通孔中填充有导电层，所述字线连接区的所述导电层形成字线导线层，所述底部选择栅引出区的所述导电层形成底部选择栅导电层，所述字线导电层与所述阶梯结构中的所述栅极层连接。