[发明专利]一种荧光免疫检测芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种荧光免疫检测芯片，包括基底(1)，其特征在于：所述基底(1)采用紫外光固化材料，所述基底(1)表面设置有周期性纳米凹槽阵列，所述基底(1)上表面设置有金属层(2)，所述金属层(2)上表面设置有氧化层(3)，所述氧化层(3)上表面经过高分子层修饰后用封闭液(4)封闭。

2.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述金属层(2)的厚度为100nm～500nm。

3.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述金属层(2)包括下层的金属黏附层(21)和上层的贵金属层(22)。

4.根据权利要求3所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述金属黏附层(21)厚度为4nm～50nm。

5.根据权利要求3所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述贵金属层(22)厚度为100nm～400nm。

6.根据权利要求3所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述金属黏附层(21)的金属为Cr、Ti中的一种或一种以上的组合。

7.根据权利要求3所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述贵金属层(22)的金属为Au、Ag、Cu和Pt中的一种或一种以上的组合。

8.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述周期性纳米凹槽阵列的周期为100nm～3000nm。

9.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述周期性纳米凹槽阵列的单个凹槽的直径为50nm～2000nm。

10.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述周期性纳米凹槽阵列的单个凹槽的深度为10nm～500nm。

11.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述氧化层(3)的厚度为100nm～600nm。

12.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述氧化层(3)的氧化物为SiO₂、ZnO、Al₂O₃、TiO₂、MgF₂中的一种或一种以上的组合。

13.根据权利要求1所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述氧化层(3)上表面经过硅烷偶联剂修饰。

14.根据权利要求14所述的一种荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述硅烷偶联剂为(3--缩水甘油丙氧基)三甲氧基硅烷、1H，1H，2H，2H-全氟辛基三乙氧基硅烷、KH-1332十三氟辛基三乙氧基硅烷和3-巯基丙基-三甲氧基硅烷中的一种。

15.一种权利要求1～14所述的荧光免疫检测芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1.制备模板：取带有氧化硅层的单晶硅/石英衬底，采用光刻蚀的方式在表面加工出与基底(1)表面设置的周期性纳米凹槽阵列形状相反的纳米孔阵列，制得模板；

S2.制备基底(1)：利用步骤S1制备的模板，通过紫外硬化压印光刻方式制得带有周期性纳米凹槽阵列的紫外光固化材料的基底(1)；

S3.沉积：在步骤S2制得的基底(1)上依次沉积金属层(2)和氧化层(3)，制得芯片基体；

S4.包被抗体：将步骤S3制得的芯片基体表面用高分子层修饰后用封闭液层(4)封闭，制得最终的生物芯片。