[发明专利]一种GaAs衬底的退火处理方法在审
| 申请号： | 202011321515.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420511A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;黄鑫;魏宇 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 衬底 退火 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs衬底的退火处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
将次级GaAs衬底片放入管式炉，并向管式炉中通入氮气或惰性气体，于温度380～450℃，保温3～5h，冷却至室温，即得退火处理后的GaAs衬底；
其中，通入所述氮气或惰性气体的气流为100-150scc。
2.根据权利要求1所述的GaAs衬底的退火处理方法，其特征在于，升温速度为5℃/min。
3.根据权利要求1所述的GaAs衬底的退火处理方法，其特征在于，冷却至室温的过程中，以5℃/min的速度降温，降至100℃，随后自然冷却至室温。
4.一种权利要求1～3任一所述的GaAs衬底的退火处理方法制得的GaAs衬底。
5.权利要求4所述的GaAs衬底在半导体器件中的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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