[发明专利]一种堆叠键合式IGBT器件在审
| 申请号： | 202011321046.5 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420630A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/739;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 王营超 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 合式 igbt 器件 | ||
1.一种堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：包括MOS结构芯片(1)、衬底晶圆片(2)和台面钝化保护层(9)；所述MOS结构芯片(1)键合于所述衬底晶圆片(2)的上方，所述台面钝化保护层(9)位于所述衬底晶圆片(2)的上表面和所述MOS结构芯片(1)的两端及其上表面的两侧。
2.根据权利要求1所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述MOS结构芯片(1)的宽度小于所述衬底晶圆片(2)的宽度。
3.根据权利要求2所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述衬底晶圆片(2)采用PN结构晶圆片(10)；所述PN结构晶圆片(10)包括P型区(8)、N型区(7)、PN结构金属层(6)和PN结构保护终端(3)；
所述N型区(7)位于所述P型区(8)的上方，所述PN结构金属层(6)位于N型区(7)的上端面中间，所述PN结构保护终端(3)位于N型区(7)的上端面且分布于所述PN结构金属层(6)的两侧。
4.根据权利要求3所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述MOS结构芯片(1)包括MOS结构金属层(5)、MOS结构芯片层和MOS结构保护终端(4)；
所述MOS结构金属层(5)位于所述MOS结构芯片层的下方，与所述PN结构金属层(6)键合，所述MOS结构保护终端(4)位于所述MOS结构芯片层上端面两侧。
5.根据权利要求4所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述PN结构金属层(6)和MOS结构金属层(5)都制作成相互对应的若干片。
6.根据权利要求5所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述PN结构晶圆片(10)还包括用于调控和优化器件性能的场阻止层。
7.根据权利要求6所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述MOS结构芯片(1)采用Si或SiC材料。
8.根据权利要求7所述的堆叠键合式IGBT器件，其特征在于：所述衬底晶圆片(2)采用Si或SiC材料。
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