[发明专利]一种等离子体处理装置及处理方法

说明书

本发明实施例公开了一种等离子体处理装置及处理方法。其中，所述等离子体处理装置包括：承载部件，用于承载晶圆；第一喷头，位于所述承载部件的上方，用于向所述晶圆喷洒等离子体气流；第二喷头，用于从所述第一喷头的周围朝向所述等离子体气流的外围喷洒惰性气体。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及处理方法。

背景技术

以往，在半导体元件的制造中，从精细化、薄膜化等观点来看，采用使用了等离子体的等离子体成膜工序或者等离子体蚀刻工序。这些工序使用等离子体处理装置来进行。

在很多等离子体处理工艺中，晶圆中心的等离子体浓度通常大于周边的等离子浓度，这种等离子体的浓度分布的不均匀性会直接导致对晶圆表面处理的不均匀性。因此，控制等离子体处理装置中的等离子体的浓度分布成为了本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种等离子体处理装置及处理方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种等离子体处理装置，包括：

承载部件，用于承载晶圆；

第一喷头，位于所述承载部件的上方，用于向所述晶圆喷洒等离子体气流；

第二喷头，用于从所述第一喷头的周围朝向所述等离子体气流的外围喷洒惰性气体。

上述方案中，所述惰性气体包括氩气或氮气。

上述方案中，所述第二喷头的数量为两个以上。

上述方案中，两个以上所述第二喷头相对于所述第一喷头的中心轴对称分布。

上述方案中，所述等离子体处理装置还包括：

反应腔，所述承载部件、所述第一喷头和所述第二喷头位于所述反应腔内；

所述第二喷头位于所述第一喷头的上方，且与所述第一喷头之间存在第一间隙；所述第一喷头与所述反应腔的侧壁之间存在第二间隙；所述第一喷头与所述承载部件之间存在第三间隙；所述第一间隙通过所述第二间隙与所述第三间隙连通。

上述方案中，所述等离子体处理装置还包括：

流量控制部件，所述流量控制部件用于控制所述第二喷头喷洒惰性气体的流量。

上述方案中，所述等离子体处理装置还包括：

气体供应管，所述气体供应管位于所述第一喷头的上方，与所述第一喷头相连接；所述第二喷头设置在所述气体供应管的外周。

上述方案中，所述第二喷头的下端面朝向所述第一喷头的上端面。

上述方案中，所述等离子体处理装置还包括：

与所述第一喷头同侧设置的上电极和与所述承载部件同侧设置的下电极；

所述第一喷头具体用于喷洒处理气体，并且基于所述上电极和所述下电极之间的电场作用将所述处理气体激发成等离子体，以实现向所述晶圆喷洒等离子体气流。

上述方案中，所述等离子体处理装置还包括：

反应腔，所述承载部件、所述第一喷头和所述第二喷头位于所述反应腔内；

所述第二喷头的下端面位于所述第一喷头的外周。

本发明实施例还提供了一种等离子体处理方法，包括以下步骤：

将待处理的晶圆放置在承载部件上；