[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，对具有表面的基板进行处理，所述表面存在互不相同的物质露出的第一区域及第二区域，所述基板处理方法的特征在于，包括：

前处理液供给工序，将前处理液供给于所述基板的表面；

前处理膜形成工序，使供给于所述基板的表面的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的第一除去对象物；

前处理膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述前处理膜从所述基板的表面剥离；

处理液供给工序，在所述前处理膜剥离工序之后，将处理液供给于所述基板的表面；

处理膜形成工序，使供给于所述基板的表面的处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜，所述处理膜保持存在于所述基板的表面的所述第一除去对象物；以及

处理膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离，且

所述处理膜将存在于所述第二区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述第二区域的所述第一除去对象物除去的除去力，

所述前处理膜将存在于所述第一区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述第一区域的所述第一除去对象物除去的除去力。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

将所述第一除去对象物除去的除去力是由保持力及剥离性所构成，所述保持力将存在于所述第一区域或所述第二区域的所述第一除去对象物保持于所述处理膜或所述前处理膜，所述剥离性表示保持所述第一除去对象物的状态的所述处理膜或所述前处理膜的剥离容易度，

所述第一区域中，所述前处理膜的剥离性高于所述处理膜，

所述第二区域中，所述处理膜的保持力高于所述前处理膜。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一区域为金属露出的露出区域，

所述第二区域为所述露出区域以外的非露出区域，

所述处理膜将存在于所述非露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述非露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力，

所述前处理膜将存在于所述露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：

处理膜残渣除去工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将残留于所述基板的表面的所述处理膜的残渣除去。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理膜剥离工序包含：不将所述处理膜中覆盖所述露出区域的部分剥离，而将所述处理膜中覆盖所述非露出区域的部分剥离的工序，

所述处理膜残渣除去工序包含：使所述处理膜中覆盖所述露出区域的部分溶解于所述除去液而除去的工序。

6.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理膜形成工序包含：在所述基板的表面形成具有剥离对象膜及保护膜的所述处理膜的工序，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的所述非露出区域的所述第一除去对象物并被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护，

所述基板处理方法还包括：清洗工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给清洗液，利用所述清洗液将存在于所述基板的表面的第二除去对象物溶解而除去。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：

处理膜残渣除去工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将残留于所述基板的表面的所述处理膜的残渣除去，

所述处理膜残渣除去工序包含：将所述保护膜作为所述残渣而除去的工序。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一除去对象物及所述第二除去对象物为因干式蚀刻处理而产生的残渣。