[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202011316312.5 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112420720A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 李银* | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/11526 | 分类号: | H01L27/11526;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/11597 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
存储阵列结构,包括多个存储串、多个局部位线和多个全局位线;以及,
位于所述存储阵列结构上的外围结构,包括多个局部位线选择模块和至少一个全局位线选择模块;
其中,每个局部位线与至少一个存储串对应连接,每个局部位线选择模块的输出端通过第一通孔与多个局部位线对应连接,每个局部位线选择模块的输入端通过第二通孔与一个全局位线对应连接,每个全局位线选择模块的输出端通过第三通孔与多个全局位线对应连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述局部位线位于所述存储串靠近所述外围结构的一侧,所述全局位线位于所述局部位线靠近所述外围结构的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第三通孔包括设于所述全局位线上的第一导通孔以及设于所述全局位线选择模块的输出端处的第二导通孔,所述第一导通孔与所述第二导通孔位置对应且连通;
所述全局位线通过所述第一导通孔、所述第二导通孔与对应的全局位线选择模块的输出端连接。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述全局位线选择模块覆盖所述第一导通孔在所述外围结构上的正投影。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述第一导通孔位于所述全局位线的中间位置。
6.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述第一导通孔包括多个第一连接孔,所述第二导通孔包括通过金属线连接的多个第二连接孔,多个第一连接孔与多个第二连接孔一一对应;
所述全局位线通过所述多个第一连接孔、所述多个第二连接孔与对应的全局位线选择模块的输出端连接。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一通孔包括设于所述局部位线上的第三导通孔以及设于所述局部位线选择模块的输出端处的第四导通孔,所述第三导通孔与所述第四导通孔位置对应且连通;
所述局部位线通过所述第三导通孔、所述第四导通孔与对应的局部位线选择模块的输出端连接。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述第三导通孔包括多个第三连接孔,所述第四导通孔包括通过金属线连接的多个第四连接孔,所述多个第三连接孔与所述多个第四连接孔一一对应;
所述局部位线通过所述多个第三连接孔、所述多个第四连接孔与对应的局部位线选择模块的输出端连接。
9.根据权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述局部位线与所述全局位线平行设置,且所述第三导通孔在所述外围结构上的正投影与所述全局位线在所述外围结构上的正投影无交集。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于,每两个全局位线构成全局位线对,所述全局位线对在所述外围结构上的正投影与所述第三导通孔在所述外围结构上的正投影相邻设置。
11.根据权利要求9所述的半导体器件,其特征在于,每预设个数的局部位线构成局部位线组,每个局部位线组对应一个全局位线,且所述局部位线组在所述外围结构上的正投影相对于对应的全局位线在所述外围结构上的正投影对称设置。
12.根据权利要求11所述的半导体器件,其特征在于,所述局部位线组中每两个局部位线构成局部位线对,所述局部位线对中的两个局部位线沿第一方向依次设置,且所述局部位线对在所述外围结构上的正投影与对应的全局位线在所述外围结构上的正投影沿第二方向依次设置,每一全局位线在所述第二方向上与两个所述局部位线对相邻,所述第一方向为所述局部位线的延伸方向,所述第二方向与所述第一方向相垂直。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011316312.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的