[发明专利]背面钝化太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次对硅片进行制绒、扩散、刻蚀、退火、背面沉积Al₂O₃/SiNx钝化膜和正面沉积SiNx减反射钝化膜，形成预处理硅片；

在预处理硅片的背面进行喷墨印刷，固化后得到具有预设图案的防蚀刻油墨披覆膜，形成具有防蚀刻油墨披覆膜的硅片；

将具有防蚀刻油墨披覆膜的硅片放入HF溶液进行浸泡，取出清洗并干燥，得到具有预设腐蚀图案的硅片；

利用碱液对具有预设腐蚀图案的硅片背面的防蚀刻油墨披覆膜进行去除，再用清洗剂进行清洗并烘干，得到特定硅片；

对特定硅片进行丝网印刷和烧结，得到背面钝化太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次对硅片进行制绒、扩散、刻蚀、退火、背面沉积Al₂O₃/SiNx钝化膜和正面沉积SiNx减反射钝化膜，形成预处理硅片；

在预处理硅片的正面沉积SiCN膜，形成具有SiCN膜的硅片；

在具有SiCN膜的硅片的背面进行喷墨印刷，固化后得到具有预设图案的防蚀刻油墨披覆膜，形成具有防蚀刻油墨披覆膜的硅片；

将具有防蚀刻油墨披覆膜的硅片放入HF溶液进行浸泡，取出清洗并干燥，得到具有预设腐蚀图案的硅片；

利用碱液对具有预设腐蚀图案的硅片背面的防蚀刻油墨披覆膜进行去除，再用清洗剂进行清洗并烘干，得到特定硅片；

对特定硅片进行丝网印刷和烧结，得到背面钝化太阳能电池。

3.根据权利要求2所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述SiCN膜的厚度为10～40nm。

4.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述防蚀刻油墨披覆膜的固化温度为150～180℃，固化时间为10～20min。

5.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述HF溶液的浓度为5～20％，所述具有防蚀刻油墨披覆膜的硅片的浸泡时间为20～60min。

6.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述碱液为KOH溶液或NaOH溶液，所述清洗剂为HCL溶液。

7.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述退火步骤的温度为500～800℃。

8.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述Al₂O₃/SiNx钝化膜的厚度为70～90nm。

9.根据权利要求1所述的背面钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述SiNx减反射钝化膜的厚度为65～100nm，折射率为1.8～2.5。

10.背面钝化太阳能电池，其特征在于：使用权利要求1～9任意一项所述的背面钝化太阳能电池的制备方法制备而成。