[发明专利]一种Zn2+

权利要求书

1.一种Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的一锅法制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将一定量的Cs₂CO₃、PbBr₂、ZnBr₂、油酸、油胺、十八烯混合物搅拌均匀，在惰性气体保护下，加热至80-140℃，保温至反应结束后冷却至室温；

(2)将步骤(1)中的反应体系离心分离除去上层清液，洗涤，得到所述Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶。

2.根据权利要求1所述的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的一锅法制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，Cs₂CO₃、PbBr₂的摩尔比为1:5.6～5.8，ZnBr₂、PbBr₂的摩尔比为0.5～5：1，油酸、油胺、十八烯的体积比为1：1.95～2.05：19.95～20.05，Cs₂CO₃与油酸的质量体积比为0.21～0.23mg/ml。

3.根据权利要求1所述的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的一锅法制备方法，其特征在于：所述Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的荧光峰在410–490nm范围内可调。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的制备方法制备的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的应用，其特征在于：采用所述Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶制备白光LED器件。

5.根据权利要求4所述的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的应用，其特征在于：具体应用方法为：将Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶、纯CsPbBr₃纳米晶与红色荧光粉CaAlSiN₃:Eu²⁺跟透明树脂溶液混合，选用紫外LED芯片作为基底，将准备好的树脂溶液样品涂在紫外LED芯片表面后固化，即可制得所述白光LED器件。

6.根据权利要求5所述的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的应用，其特征在于：纯CsPbBr₃纳米晶、红色荧光粉CaAlSiN₃:Eu²⁺、Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的掺杂质量比为1：9.2-9.6：5.1-5.3。

7.根据权利要求5所述的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的应用，其特征在于：所述透明树脂为硅胶、环氧树脂、氟树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯中的任意一种。

8.根据权利要求4所述的Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶的应用，其特征在于：所述采用Zn²⁺掺杂CsPbBr₃纳米晶制备的白光LED在紫外光的激发下有明亮的暖白光发光特性，外量子效率大于10％，色坐标(0.38,0.31)。