[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号: | 202011308567.7 | 申请日: | 2020-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN112447863B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
| 发明(设计)人: | 贾松燕;何悦;任永伟 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
| 地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括设有氧化铝膜的晶体硅片,以及位于所述设有氧化铝膜的晶体硅片的相对两面上的正面减反膜结构和背面钝化膜结构;所述氧化铝膜位于所述晶体硅片表面;
所述正面减反膜结构的折射率大于或等于2.14;所述氧化铝膜的厚度为2.5~4nm;所述正面减反膜结构包括依次层叠SiO2膜、SiN膜和SixOyNz膜;所述SiO2膜位于所述设有氧化铝膜的晶体硅片的制绒面的表面;所述SiO2膜的厚度为2~5nm;所述SiN膜的厚度为50~60nm;所述SiN膜的折射率大于2.2;所述SixOyNz膜的厚度为10~20nm;所述SixOyNz膜的折射率小于2.2。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面钝化膜结构的厚度大于或等于120nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面钝化膜结构包括SixOyNz钝化膜和SiN保护膜。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述SixOyNz钝化膜位于所述设有氧化铝膜的晶体硅片的制绒面的相对面的表面。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述SixOyNz钝化膜的厚度为10~20nm。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述SiN保护膜的厚度为110~140nm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括制绒、扩散、激光掺杂、刻蚀背抛、氧化退火、双面制备氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开窗、丝网印刷及测试,得到所述太阳能电池;所述正面镀膜工序制备正面减反膜结构,所述背面镀膜工序制备背面钝化膜结构;
所述制绒的方法包括碱制绒和/或酸制绒;所述碱制绒包括将氢氧化钠溶液和制绒添加剂进行混合,形成混合溶液进行制绒;所述碱制绒中的混合溶液的质量浓度小于2%;所述酸制绒包括将硝酸溶液和氢氟酸溶液进行混合,得到混合溶液进行制绒;所述酸制绒中的硝酸和氢氟酸的体积比为1:1~5:1;所述扩散的制备方法包括将制绒后的硅片在扩散炉中进行扩散;所述扩散炉中的温度为800~900℃;所述扩散过程中的方阻为100~150Ω/□;所述刻蚀背抛的制备方法包括用酸腐蚀法和/或碱抛法腐蚀背表面的扩散后P-N结,并在背表面形成平滑的抛光面,用酸洗去正面磷硅玻璃;所述激光掺杂的制备方法包括将扩散后的产品按印刷图形用激光进行重掺杂;所述重掺杂的方阻为40~80Ω/□。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述氧化退火的制备方法包括将刻蚀背抛后的产品进行氧化退火。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述氧化退火的温度为700~800℃。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述氧化退火的时间为20~40min。
11.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述氧化退火的时间为10~30min。
12.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述氧化的气氛为氧气气氛。
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