[发明专利]一种基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置

权利要求书

1.一种基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于，包括基底层、加热部、第一贵金属微纳结构层、有机共轭聚合物材料部、第二贵金属微纳结构层、第一施力部、第二施力部，所述基底层的表面设有凹坑，所述加热部置于所述凹坑内，所述加热部的表面与所述基底层的表面齐平，所述第一贵金属微纳结构层固定在所述加热部上，所述有机共轭聚合物材料部置于所述第一贵金属微纳结构层和所述基底层上，所述第二贵金属微纳结构层置于所述第一贵金属微纳结构层顶部的所述有机共轭聚合物材料部表面上，所述第一施力部和所述第二施力部分别置于所述基底层上所述加热部的两侧，所述第一施力部和所述第二施力部分别固定连接在所述有机共轭聚合物材料部的两端，所述第一贵金属微纳结构层与所述第二贵金属微纳结构层构成手性复合结构。

2.如权利要求1所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述有机共轭聚合物材料部的材料为聚3-己基噻吩。

3.如权利要求2所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述第一贵金属微纳结构层包括多个第一纳米棒，所述第一纳米棒周期排布；所述第二贵金属微纳结构层包括多个第二纳米棒，所述第二纳米棒周期排布。

4.如权利要求3所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述周期为方形。

5.如权利要求4所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述第一纳米棒沿所述第一施力部和所述第二施力部的连线方向。

6.如权利要求5所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述第二纳米棒的方向垂直于所述第一施力部和所述第二施力部的连线方向。

7.如权利要求6所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述第二纳米棒的端部位于所述第一纳米棒端部的上方。

8.如权利要求1-7任一项所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述第一纳米棒和所述第二纳米棒的材料为金或银。

9.如权利要求8所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：在所述第二贵金属微纳结构层上设有第二有机共轭聚合物材料。

10.如权利要求9所述的基于双层贵金属微纳结构的电场探测装置，其特征在于：所述第二有机共轭聚合物材料与所述有机共轭聚合物材料部的材料相同。