[发明专利]硅基OLED面板的制备方法

说明书

本发明公开了一种硅基OLED面板的制备方法，包括步骤：S1、制作阳极金属层；S2、涂胶显影，形成R像素lift off结构；S3、蒸镀R材料和阴极金属层；S4、涂胶显影，形成G像素lift off结构；S5、蒸镀G材料和阴极金属层；S6、涂胶显影，形成B像素lift off结构；S7、蒸镀B材料和阴极金属层；S8、光刻胶剥离；S9、涂胶制作平坦层；S10、灰化形成PDL层；S11、蒸镀整面共阴极金属层。本发明的硅基OLED面板的制备方法，采用黄光工艺制备OLED蒸镀用自对准结构，能实现PPI 2000以上的RGB独立自主发光，大大提高整体显示亮度和分辨率。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体地说，本发明涉及一种硅基OLED(有机发光二极管)面板的制备方法。

背景技术

由于目前OLED面板的主流生产方法是真空蒸镀，而真空蒸镀必须用到FMM金属薄板(Fine Metal Mask)，其材料主要为一种低热膨胀金属，一般使用因瓦金属(invar)制成，其成分主要为含36％的镍的铁属合金。因为用在FMM金属薄板的因瓦金属的厚度很薄，其厚度仅约为20-30um，而薄型的因瓦金属生产困难，蚀刻工艺使得OLED物理分辨率被限制在210-300ppi，材料难以继续减薄，同时减薄后的材料物理强度降低，FMM制作难度增加，成品率低，成本增加，张网后的FMM成品使用寿命减少。蚀刻工艺制作FMM技术限制了OLED面板行业分辨率的提高。同时硅基OLED面板需要高达5000以上的PPI，现有技术采用白光加彩膜的方案实现全彩化，这进一步降低了整体有机材料的光利用率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种硅基OLED面板的制备方法，目的是提高硅基OLED面板的分辨率。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：硅基OLED面板的制备方法，包括步骤：

S1、制作阳极金属层；

S2、涂胶显影，形成R像素lift off结构；

S3、蒸镀R材料和阴极金属层；

S4、涂胶显影，形成G像素lift off结构；

S5、蒸镀G材料和阴极金属层；

S6、涂胶显影，形成B像素lift off结构；

S7、蒸镀B材料和阴极金属层；

S8、光刻胶剥离；

S9、涂胶制作平坦层；

S10、灰化形成PDL层；

S11、蒸镀整面共阴极金属层。

所述步骤S2中，在衬底上涂覆光刻胶，对R子像素阳极区域进行曝光显影，使得R子像素阳极金属暴露，形成R像素lift off结构。

所述步骤S3中，利用步骤S2形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成R子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。

所述步骤S4中，利用步骤S3形成的结构，对G子像素阳极区域进行曝光显影，使得G子像素阳极金属暴露，形成G像素lift off结构。

所述步骤S5中，利用步骤S4形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成G子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。

所述步骤S6中，利用步骤S5形成的结构，对B子像素阳极区域进行曝光显影，使得B子像素阳极金属暴露，形成B像素lift off结构。

所述步骤S7中，利用步骤S6形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成B子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。

所述步骤S8中，使用湿法或干法工艺，去除步骤S7形成的结构上的多余的光刻胶膜层。