[发明专利]基于绝热锥形非对称耦合与Y分支的硅基偏振分束旋转器有效
申请号: | 202011302865.5 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN112327411B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 解长健;邹喜华;李沛轩;潘炜;闫连山 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | G02B6/126 | 分类号: | G02B6/126;G02B6/125 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 卓仲阳 |
地址: | 610031 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 绝热 锥形 对称 耦合 分支 偏振 旋转 | ||
1.基于绝热锥形非对称耦合与Y分支的硅基偏振分束旋转器,采用二氧化硅作为基底以及包覆层;在基底与包覆层中间添加硅材料的缓冲层,并在缓冲层上构建脊形波导,形成偏振分束旋转器主体,其特征在于,所述脊形波导由三段结构组成:
第一段为绝热锥形结构,宽度从W1渐变到W2,渐变过程中经过偏振模式转化临界宽度W0,在波导1内部实现TM0偏振模式到TE1偏振模式的转化;
第二段采用非对称耦合结构和绝热锥形结构,该绝热锥形位于波导1,其末端宽度设为W3,波导2为直波导,宽度设为W6;实现波导1到波导2的偏振分束和旋转;
第三段为一个Y分支结构,通过一个S形弯曲结构与第二段连接,实现第二级偏振分束和旋转,Y分支的两个分支宽度分别为W4和W5,进行二级滤波以提高偏振消光比。
2.根据权利要求1所述的基于绝热锥形非对称耦合与Y分支的硅基偏振分束旋转器,其特征在于,所述第二段结构中,波导1中的TE1偏振模式与波导2中的TE0满足相位匹配条件:
neff1(TE1)=neff2(TE0) (1)
其中,neff1(TE1)表示波导1中TE1偏振模式的有效折射率,neff2(TE0)表示波导2中TE0偏振模式的有效折射率。
3.根据权利要求1所述的基于绝热锥形非对称耦合与Y分支的硅基偏振分束旋转器,其特征在于,所述第三段结构中,满足偏振模式分类原理条件:
|neffW3(TE1)-neffw4(TM0)|>|neffW3(TE1)-neffw5(TE0)| (2)
其中,neffw3(TE1)和neffw4(TM0)分别表示波导宽度为W3和W4时TE1和TM0偏振模式的有效折射率,neffw5(TE0)表示波导宽度为W5时TE0偏振模式的有效折射率。
4.根据权利要求1所述的基于绝热锥形非对称耦合与Y分支的硅基偏振分束旋转器,其特征在于,所述第一段长度L1设为18μm;第二段的长度L2设为83μm;第三段长度L3设为39μm;包括各段之间的连接区,最终该偏振分束旋转器总长度约为155μm;
所述W0=0.67μm、W1=0.65μm、W2=0.7μm、W3=1μm、W4=0.55μm、W5=0.48μm、W6=0.4μm。
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