[发明专利]用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构及其器件有效
| 申请号： | 202011302202.3 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112420813B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 郭德霄;林志东;何俊蕾;王立阁;汪晓媛;赵杰;刘成;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 器件 表面 钝化 结构 及其 | ||
1.用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：包括位于Ⅲ-Ⅴ族氮化物基底上的Al1-xScxN层和AlySc2-yO3层，Al1-xScxN层和AlySc2-yO3层由下至上依次层叠设置，其中，Al1-xScxN层的厚度为0.5~10nm，0＜x≤1；AlySc2-yO3层的厚度为1~20nm，0≤y＜2，Al1-xScxN层的厚度≤AlySc2-yO3层的厚度。
2.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：Al1-xScxN层具有多层结构，或者，AlySc2-yO3层具有多层结构。
3.根据权利要求2所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：在Al1-xScxN层的多层结构中，每一层中Al的含量由下至上依次递增，Sc含量由下至上依次递减。
4.根据权利要求2所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：在AlySc2-yO3层的多层结构中，每一层中Al的含量由下至上依次递减，Sc含量由下至上依次递增。
5.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：还包括AlN层，Al1-xScxN层层叠于AlN层上。
6.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：还包括Al2O3层，Al2O3层层叠于AlySc2-yO3层上。
7.根据权利要求1所述的用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构，其特征在于：Al1-xScxN层和AlySc2-yO3层的沉积方式为原子层沉积。
8.一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件，至少包括基底、电极和钝化保护层，电极和钝化保护层位于基底上；其特征在于：还包括如权利要求1至权利要求7中任一项所述的表面钝化结构，其中，Al1-xScxN层位于基底和电极上，钝化保护层位于AlySc2-yO3层上。
9.根据权利要求8所述的一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件，其特征在于：钝化保护层具体为SiN层、SiO2和SiON中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件，其特征在于：基底至少为AlGaN、GaN、InAlGaN、InGaN、InAlN、InN和AlN中的任意一种。
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