[发明专利]基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构有效

专利信息
申请号: 202011301578.2 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112417523B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 赵晓锦;彭乔舟;许婷婷 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G06F21/72 分类号: G06F21/72;G06F21/76;G06F7/58
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 涂年影
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 去硅化物 接触 物理 不可 克隆 函数 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,包括电流比较器、第一行译码器、第二行译码器、第一列译码器、第二列译码器、第一多路选择器、第二多路选择器、第一核心单元阵列及第二核心单元阵列;

所述第一核心单元阵列及所述第二核心单元阵列分别用于产生随机分布的输入电流,所述第一核心单元阵列及所述第二核心单元阵列均由N个基本单元列所组成,每一所述基本单元列均由M个基于去硅化物接触孔晶体管构建得到的基本单元组成,其中M及N均为大于1的整数;

所述电流比较器同时与所述第一多路选择器及第二多路选择器进行连接,所述电流比较器用于对所述第一多路选择器选通的第一输入电流及所述第二多路选择器选通的第二输入电流进行比较以得到二进制输出信号;

所述第一列译码器通过所述第一多路选择器与所述第一核心单元阵列进行连接,用于从所述第一核心单元阵列的多个基本单元列中选择一个基本单元列的输入电流作为第一比较电流经所述第一多路选择器输出至所述电流比较器;

所述第二列译码器通过所述第二多路选择器与所述第二核心单元阵列进行连接,用于从所述第二核心单元阵列的多个基本单元列中选择一个基本单元列的输入电流作为第二比较电流经所述第二多路选择器输出至所述电流比较器;

所述第一行译码器与所述第一核心单元阵列的每一所述基本单元进行连接,用于控制从所述第一核心单元阵列的多个所述基本单元中选择一个基本单元的输入电流输出至所述第一多路选择器;

所述第二行译码器与所述第二核心单元阵列的每一所述基本单元进行连接,用于控制从所述第二核心单元阵列的多个所述基本单元中选择一个基本单元的输入电流输出至所述第二多路选择器;

所述基本单元包括设置于硅基座上的源区、设置于硅基座上的漏区及设置于所述源区及所述漏区之间的多晶硅;

所述源区及所述漏区内均有源极接触孔和漏极接触孔用于与其它器件连接;

所述源区或所述漏区上覆盖有一层去硅化物掩膜,所述去硅化物掩膜在经半导体加工后形成一个随机且阻值分布较广的去硅化物源极接触孔电阻或去硅化物漏极接触孔电阻;

所述源区作为所述基本单元的源极连接所述去硅化物源极接触孔电阻后接地,所述漏区作为所述基本单元的漏极连接所述第一多路选择器或所述第二多路选择器;或者是,所述源区作为所述基本单元的源极接地,所述漏区作为所述基本单元的漏极连接所述去硅化物漏极接触孔电阻后再与所述第一多路选择器或所述第二多路选择器连接;

所述多晶硅作为所述基本单元的栅极连接所述第一行译码器或所述第二行译码器。

2.根据权利要求1所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述去硅化物掩膜为去硅化物光刻版图层。

3.根据权利要求2所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述去硅化物源极接触孔电阻或所述去硅化物漏极接触孔电阻的阻值为60-550kΩ。

4.根据权利要求1至3任一项所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述多晶硅的上端面设有过渡金属淀积层。

5.根据权利要求4所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述过渡金属淀积层由化合物MSi2构成,其中M为过渡金属,Si为硅。

6.根据权利要求5所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述过渡金属为钛或钨。

7.根据权利要求4所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述多晶硅的左右两侧壁被绝缘层所包裹。

8.根据权利要求7所述的基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,其特征在于,所述基本单元的外侧被二氧化硅所形成的绝缘层所包裹。

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