[发明专利]一种影像传感芯片的抗杂光方法在审

专利信息
申请号: 202011300811.5 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112422853A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 汤永长;戴中荣 申请(专利权)人: 苏州新晶腾光电科技有限公司
主分类号: H04N5/359 分类号: H04N5/359;H04N5/268
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 顾品荧
地址: 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 影像 传感 芯片 抗杂光 方法
【权利要求书】:

1.一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、RST启动第一个讯号,将主动光源(LED ON)开启或关闭,同时影像传感芯片启动第一次有效曝光(EXPOSURE)并在下一个RST电讯号到来时关闭或开启,第一次曝光开始,影像传感芯片的感光区(2)均能启动并通过编码转换电路(3)将其采集到的第一图像信息传至图像处理器(4)的RD1;S2、RD1电讯为高电位时,将第一图像信息置入图像处理器(4)的暂存区【A】,RD1电讯为低电位时,将第一图像信息置入图像处理器(4)的暂存区【a】;S3、RST启动第二个讯号后,主动光源(LED ON)继续开启或关闭且主动光源(LED ON),开启或关闭的顺序与第一次曝光主动光源(LED ON)开启或关闭的顺序相反,同时影像传感芯片启动第二次有效曝光(EXPOSURE)并在下一个RST电讯号到来时关闭,第二次曝光,感光区(2)均能启动采集第二个图像光信息并通过编码转换电路(3)将其采集到的第二个图像信息传至图像处理器(4)的RD2;S4、RD2电讯为高电位时,将第二图像信息置入暂存区【a】,RD2电讯为低电位时,将第二图像信息置入暂存区【A】;S5、经过图像处理器(4)的差动放大器处理,影像传感芯片输出信息为暂存区【A】内存放的信息消去暂存区【a】内存放的信息。

2.根据权利要求1所述一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:在所述步骤S1和S3中,所述感光区(2)由矩阵设置的多个微透镜组成,多个所述微透镜分别采集第一图像的光线信息由编码转换电路(3)将感光面的第一个图像的光线信息转换成为与其成相应比例关系的电信号通过感芯片的ADR总线传至图像处理器(4)比较电路RD1,多个所述微透镜分别采集第二图像的光线信息由编码转换电路(3)将感光面的第二个图像的光线信息转换成为与其成相应比例关系的电信号通过感芯片的ADR总线传至图像处理器(4)比较电路RD2。

3.根据权利要求1所述一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:所述影像传感芯片的外围设置有用于与影像传感芯片GND连接的保护圈(SEALRING)。

4.根据权利要求3所述一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:所述保护圈(SEAL RING)与影像传感芯片的外围之间距离为10±5um。

5.根据权利要求1所述一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:所述影像传感芯片均设置在线路板(1)矩形接地焊盘上,且所述影像传感芯片与外围线路电连接。

6.根据权利要求1所述一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:在所述步骤S1和S3中,所述主动光源(LED ON)均用于与外部LED灯连接。

7.根据权利要求6所述一种影像传感芯片的抗杂光方法,其特征在于:所述外部LED灯的主波长λ≥700nm。

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