[发明专利]形成多个光电器件的公共电极的方法

说明书

本发明涉及一种形成多个光电器件的公共电极(190)的方法，该方法包括以下步骤：a)提供支撑基底(111)，在该支撑基底上放置由沟槽(170)隔开的光电器件；b)在正面、侧面和沟槽的底部上形成介电层(130)，在正面和侧面上形成的介电层的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；c)将介电层(130)蚀刻厚度E3，以露出沟槽的第一部分(170a)处的侧面；d)形成填充沟槽以及覆盖正面的金属层；e)对金属层进行机械化学抛光，抛光停止在介电层(130)的一部分上，保留在沟槽(170)中的金属形成公共电极(190)。

技术领域

本发明涉及微电子学和光电子学领域。具体地，本发明涉及一种在置于支撑基底的主表面上的器件(更具体地，发光二极管)的侧面形成电接触部的方法。

具体地，尤其是为了简化制造以及增加对具有极高纵横比的LED侧面上的电极的控制而实施本发明。

背景技术

现有技术中已知的发光显示器件通常包括发光二极管(LED)组件，尤其是氮化镓基发光二极管(LED)组件。

LED从正面到背面包括：N掺杂半导体层、发光层组件以及P掺杂半导体层，并通过该LED的背面将LED置于设有控制电路的支撑基底上，该控制电路旨在在LED的P掺杂半导体层处单独寻址每个LED。

发光显示器件还包括与LED中的每个LED的N掺杂半导体层电接触的公共电极。该电接触通常在半导体层的侧面发生。

因此，在图1A至图1G中示出了现有技术中已知的形成发光显示器件的方法。

该方法具体包括如图1A所示的提供在其主表面上形成有集成控制电路110的支撑基底111的步骤。该集成电路具体包括通过介电区域114彼此隔开的金属连接柱113，该金属连接柱113旨在通过其背面连接多个LED。

图1B是在支撑基底151的主表面上形成的层的堆叠体150的示意图。具体地，从该主表面上起，该层的堆叠体包括N掺杂半导体层153、发光层组件155以及P掺杂半导体层157。层中的每一层都可以包括氮化镓。

根据现有技术中已知的方法，该层的堆叠体150随后被转接到支撑基底111的主表面上(图1C)。转接可以包括以下步骤：将堆叠体150接合在集成电路110上，然后移除支撑基底151。

此外，在接合步骤之前，可以在集成电路110和堆叠体150上分别形成一个或两个中间金属层116和159。

然后，在转接步骤之后进行以下步骤：从堆叠体的暴露于外部环境的面起在堆叠体150中形成沟槽170，并且沟槽170在堆叠体的整个厚度上延伸，以限定多个LED 172(图1D)。

沟槽的形成通常涉及以下连续步骤：

通过覆盖堆叠体150的暴露表面来形成例如介电材料层的硬掩模层，

旨在借助光刻树脂层在硬掩模层处划定图案120的光刻步骤，

蚀刻硬掩模层以形成硬掩模的图案120，

去除在光刻步骤中施加的光刻树脂，

通过硬掩模蚀刻堆叠体150以划定LED。

可以继续蚀刻步骤，以便接着从沟槽170的底部去除层116和层159的部分。

因此，在步骤的最后，支撑基底111包括由沟槽170彼此隔开的多个LED。

特别地，通过LED的背面将LED置于支撑基底111的主表面上，而每个LED的与背面相对并且通过侧面与背面连接的正面覆盖有硬掩模图案120。因此，沟槽170由支撑基底的主表面处的底部以及LED的侧面限定。