[发明专利]用于高速率光信号接收的探测器芯片组件在审
| 申请号： | 202011299853.1 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112289870A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王中和;刘小红 | 申请（专利权）人： | 欧润光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/02 |
| 代理公司： | 上海双霆知识产权代理事务所(普通合伙) 31415 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 速率 信号 接收 探测器 芯片 组件 | ||
1.一种用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于，包括：
一探测器芯片；
一TIA；
至少两根引线，连接所述TIA的输出端，用于实现与外部电路的连接；
一电容，位于所述探测器芯片与所述TIA之间；所述电容的一端与所述探测器芯片共地；所述电容与所述TIA并联；以及
至少两段金线，第一金线连接所述探测器芯片与所述电容，第二金线连接所述电容与所述TIA。
2.根据权利要求1所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述第一金线的长度大于0.1mm。
3.根据权利要求1所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述第一金线产生的自感应电感在0.01nH到1nH之间；和/或所述第二金线产生的自感应电感在0.01nH到0.5nH之间。
4.根据权利要求1所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述探测器芯片、所述电容和所述TIA封装于一个TO-CAN内。
5.根据权利要求1所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于，所述探测器芯片组件还包括一电感，电感的一端连接所述第一金线，电感的另一端连接所述电容；所述电感和电容位于所述探测器芯片与TIA芯片之间；所述电感与所述探测器芯片串联；串联的电感和探测器芯片与所述电容并联。
6.根据权利要求5所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述探测器芯片、所述电感、所述电容和所述TIA封装于一个TO-CAN内。
7.根据权利要求5所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述电感和所述电容集成于同一个基片上；所述基片上有金属薄膜。
8.根据权利要求7所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述探测器芯片位于所述电感和电容所在的基片上；或者，所述探测器芯片位于与所述电感和电容所在的基片不同的基片上。
9.根据权利要求5所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述电感值在0.01nH到1nH之间。
10.根据权利要求1或9所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述电容值在0.001pF到0.2pF之间。
11.根据权利要求1至10任一项所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述基片为氮化铝、氧化铝、石英或硅基基片。
12.根据权利要求1至10任一项所述的用于高速率光信号接收的探测器芯片组件，其特征在于：所述探测器芯片为半导体光电二极管探测器芯片。
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
