[发明专利]一种基于静态畴的光控开关有效
| 申请号： | 202011298414.9 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112531109B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 梁芳;吴泳波;许坤远 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 静态 光控 开关 | ||
1.一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：包括由下至上顺次设置的绝缘衬底层、二维半导体导电层和绝缘保护层；所述二维半导体导电层上设有两个绝缘刻槽，且所述二维半导体导电层两侧还分别沿边缘方向设有输入电极和输出电极；所述绝缘刻槽中填充有光敏材料，两个绝缘刻槽之间形成纳米沟道；所述纳米沟道与输入电极、输出电极分别垂直；所述光敏材料在无光照时为高介电常数材料，在有光照时变为低介电常数材料，或者所述光敏材料在无光照时为低介电常数材料，在有光照时变为高介电常数材料。
2.根据权利要求1所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述输入电极与所述输出电极的长度均小于二维半导体导电层的宽度，所述纳米沟道的长度小于所述二维半导体导电层的长度。
3.根据权利要求1所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述光敏材料在无光照时为高介电常数材料，在有光照时变为低介电常数材料。
4.根据权利要求1或3所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述绝缘刻槽均为L型，两个绝缘刻槽沿所述二维半导体导电层平面的对称轴轴对称且背向设置；两个L型绝缘刻槽的短边分别延伸至二维半导体层的相对两侧边界，L型绝缘刻槽的长边均不接触二维半导体层的边界。
5.根据权利要求1所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述纳米沟道的宽度为25-55nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述二维半导体导电层为AlGaAs/InGaAs异质结，其包括从下往上顺次设置的InGaAs基底层、AlGaAs/InGaAs异质界面上的二维电子气层和AlGaAs覆盖层。
7.根据权利要求4所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述L型绝缘刻槽的深度≥300nm。
8.根据权利要求6所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述InGaAs基底层的厚度为425nm，所述AlGaAs覆盖层的厚度为55nm。
9.根据权利要求1所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述光控开关的长度为1-2μm，宽度为420-480nm。
10.根据权利要求3所述的一种基于静态畴的光控开关，其特征在于：所述光敏材料为Si、CdS、ZnS、CdSe、InSb、GeZn、GeCu、GeAg中的一种。
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