[发明专利]集成电容器及其制造方法，射频电路

权利要求书

1.一种集成电容器，其特征在于，包括：

第一金属层；

第一介质层，设于所述第一金属层上；

第二金属层，设于所述第一介质层上；

第二介质层，设于所述第一介质层上；

第三金属层，设于所述第二金属层上，与所述第二金属层直接接触，且所述第三金属层延伸至所述第二介质层上，所述第三金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度；

其中，所述第一金属层包括电容器的第一极板，所述第一介质层包括所述电容器的电容介电层，所述第二金属层包括所述电容器的第二极板；所述第二金属层的全部边缘被所述第二介质层覆盖，从而使得所述第三金属层与所述第二金属层的接触面积小于所述第二极板的面积。

2.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第一极板在边缘处形成台阶，台阶处的第一金属层与第三金属层之间被所述第一介质层和第二介质层隔离。

3.根据权利要求1或2所述的集成电容器，其特征在于，所述第二极板在所述第一金属层上的正投影在所述第一金属层的范围之内。

4.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第二金属层的厚度为50纳米至1000纳米。

5.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，还包括基底，所述电容器设于所述基底上。

6.根据权利要求5所述的集成电容器，其特征在于，还包括设于所述基底和所述第一金属层之间的钝化层，所述基底包括硅衬底。

7.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第三金属层将所述第二极板除被所述第二介质层覆盖的位置以外的上表面全部覆盖。

8.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，所述第一介质层的厚度为10纳米至2微米，所述第二介质层的厚度为100纳米至10微米。

9.根据权利要求1所述的集成电容器，其特征在于，在第三金属层与第一金属层直接接触的位置边缘的各台阶处，第三金属层延伸至这些台阶上方从而覆盖这些台阶；在第三金属层与第二金属层直接接触的位置边缘的各台阶处，第三金属层延伸至这些台阶上方从而覆盖这些台阶。

10.一种射频电路，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的集成电容器。

11.一种集成电容器的制造方法，包括：

获取基底，基底上形成有第一金属层，第一金属层上形成有第一介质层；

在所述第一介质层上形成第二金属层；

在所述第二金属层上和第一介质层上形成第二介质层；

图案化所述第二介质层，所述第二金属层的全部边缘被图案化后的第二介质层覆盖；

在所述第二金属层上形成第三金属层，所述第三金属层与第二金属层直接接触，且所述第三金属层延伸至所述第二介质层上，所述第三金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度；

其中，所述第一金属层包括电容器的第一极板，所述第一介质层包括所述电容器的电容介电层，所述第二金属层包括所述电容器的第二极板，所述第二金属层的全部边缘被所述第二介质层覆盖，从而使得所述第三金属层与所述第二金属层的接触面积小于所述第二极板的面积。

12.根据权利要求11所述的集成电容器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一介质层上形成第二金属层的步骤包括：

在所述第一介质层上沉积金属；

图案化沉积的金属；

其中，所述图案化沉积的金属的步骤包括使用光刻胶光刻并干法蚀刻沉积的金属。

13.根据权利要求11所述的集成电容器的制造方法，其特征在于，所述基底包括硅衬底，所述获取基底的步骤中所述硅衬底和第一金属层之间还形成有钝化层。