[发明专利]存储卡及其封装方法在审
| 申请号: | 202011296647.5 | 申请日: | 2020-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN112435965A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
| 发明(设计)人: | 赖振楠 | 申请(专利权)人: | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/50;H01L23/538;G06K19/077 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 王敏生 |
| 地址: | 518112 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 及其 封装 方法 | ||
本申请公开一种存储卡及其封装方法,所述存储卡的封装方法包括:提供牺牲层;将存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面;形成覆盖所述存储芯片和控制芯片的塑封层;去除所述牺牲层;在所述塑封层底部形成电连接层,所述电连接层与所述塑封层共同包裹所述存储芯片和所述控制芯片,并且,所述电连接层内形成有电连接结构,与所述存储芯片和所述控制芯片电性连接,实现存储芯片与控制芯片之间的电连接,以及将所述控制芯片电性引出。上述封装方法成本较低。
技术领域
本申请涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种存储卡及其封装方法。
背景技术
现有的存储卡内部通常包括闪存芯片、控制芯片等,目前的存储卡的封装结构中,通常将内部的芯片都固定在一个基板上,所述基板为PCB电路板,通过阴线与内部芯片之间形成电连接,再将整个基板与内部芯片通过塑封层包裹,暴露出外部接触引脚,从而完成封装,整个存储卡通过基板提供刚性支撑。
目前采用的基板通常为BT树脂板、FR-4板等高精密板,成本较高。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种存储卡及其封装方法,以解决现有技术中存储卡封装成本较高的问题。
本申请提供的一种存储卡的封装方法,包括:提供牺牲层;将存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面;形成覆盖所述存储芯片和控制芯片的塑封层;去除所述牺牲层;在所述塑封层底部形成电连接层,所述电连接层与所述塑封层共同包裹所述存储芯片和所述控制芯片,并且,所述电连接层内形成有电连接结构,与所述存储芯片和所述控制芯片电性连接,实现存储芯片与控制芯片之间的电连接,以及将所述控制芯片电性引出。
可选的,所述牺牲层为光敏感膜层或热敏感膜层中的至少一种。
可选的,所述牺牲层包括蓝胶带、UV胶带、热固性材料层中的至少一种。
可选的,采用3D打印或注塑工艺形成所述塑封层。
可选的,所述电连接层包括绝缘层和所述电连接结构,所述电连接结构包括位于所述绝缘层内的布线层,以及与所述布线层连接且暴露于所述绝缘层表面的接触引脚。
可选的,所述电连接层的形成方法包括:采用3D打印工艺同步打印形成所述绝缘层和所述电连接结构;或者,所述电连接层的形成方法包括:形成若干逐层交替堆叠的子绝缘层、子布线层之后,形成贯穿各层的导电柱,通过所述导电柱在各子布线层之间形成电连接。
可选的,还包括:在将所述存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面之前,在所述牺牲层表面形成分别对应于所述存储芯片和所述控制芯片尺寸匹配的凹陷区域。
本申请还提供一种存储卡,包括:电连接层,所述电连接层内形成有电连接结构;位于所述电连接层表面的存储芯片和所述控制芯片,通过所述电连接结构实现所述存储芯片和所述控制芯片之间的电连接,以及所述控制芯片的电性引出;塑封层,覆盖所述电连接层、所述存储芯片以及所述控制芯片。
可选的,所述电连接层包括绝缘层和位于所述绝缘层内的电连接结构;所述电连接结构包括位于所述绝缘层内的布线层,以及与所述布线层连接且暴露于所述绝缘层表面的接触引脚。
可选的,所述电连接层内的所述绝缘层和所述电连接结构为3D打印结构;或者,所述电连接层包括若干逐层交替堆叠的绝缘子层、互连线层,以及在各互连线层之间形成电连接的导电柱。
本申请的存储卡在封装过程中,采用牺牲层临时固定存储芯片和控制芯片,在塑封完成后,去除所述牺牲层,利用塑封层为存储卡提供刚性支撑,无需采用高成本的基板进行支撑,从而可以降低存储卡的封装成本。并且,在去除牺牲层之后,形成电连接层,通过电连接层内的电连接结构将存储芯片和控制芯片电性引出,电连接层仅需要起到电性连接的作用,厚度较低,可以降低整个存储卡的厚度。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





