[发明专利]量子点发光二极管、显示装置和发光光源在审
| 申请号： | 202011295675.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114520292A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 邓承雨 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 显示装置 发光 光源 | ||
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括量子点层和与所述量子点层邻接的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有1,3,5-三苯基苯的嘧啶取代物。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述1,3,5-三苯基苯的嘧啶取代物的三重态能级大于2.8eV，
优选地，所述1,3,5-三苯基苯的嘧啶取代物的HOMO能级在-6.5eV以下。
3.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于所述1,3,5-三苯基苯的嘧啶取代物选自1,3,5-三(2-嘧啶苯基)苯、1,3,5-三(4-嘧啶苯基)苯和1,3,5-三(5-嘧啶苯基)苯中的至少一种。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层由所述1,3,5-三苯基苯的嘧啶取代物组成，
优选地，所述空穴阻挡层的厚度为10-30nm。
5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括电子阻挡层，所述空穴阻挡层位于所述量子点层与所述电子阻挡层之间，
优选地，所述电子阻挡层含有介电材料，
再优选地，所述量子点发光二极管还包括阴极，所述空穴阻挡层和所述电子阻挡层位于所述量子点层与所述阴极之间。
6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，所述介电材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚醚酰亚胺和聚乙氧基乙烯亚胺中的至少一种。
7.如权利要求5所述的量子点发光二极管，所述电子阻挡层由所述介电材料组成，
优选地，所述电子阻挡层的厚度为5-15nm。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至7中任一项所述的量子点发光二极管。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为平板显示器。
10.一种发光光源，其特征在于，所述发光光源包括权利要求1至7中任一项所述的量子点发光二极管。
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