[发明专利]晶载可靠性监测器及方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)，包括：

电子电路，包括多个电子组件；以及

可靠性监测电路，组配成在主机系统中的该集成电路的操作期间评估从该电子组件中选择的指出一个或多个感兴趣组件的可靠性的一个或多个参数，并提供指出该可靠性的输出。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该集成电路还包括被组配成仿效该一个或多个感兴趣组件的一个或多个复制组件，并且其中，该可靠性监测电路耦接至该一个或多个复制组件并组配成评估该一个或多个复制组件上的一个或多个参数。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，复制组件组配成通过经历一使用模式来仿效相应的感兴趣组件，该使用模式仿效该相应的感兴趣组件的该使用模式。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该感兴趣组件中的至少一个包括场效应晶体管(FET)，并且其中，该可靠性监测电路组配成针对该场效应晶体管评估下列的一或两者：(i)漏极侧饱和电流和(ii)阈值电压。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该可靠性监测电路组配成回应于该可靠性违反预定条件而发出警报。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该一个或多个感兴趣组件包括主动半导体装置。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该输出指出该一个或多个感兴趣组件的电源接通小时。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，该输出指示该一个或多个感兴趣组件的寿命终止。

9.根据权利要求2所述的集成电路，其中，该可靠性监测电路组配成：

使该一个或多个复制组件的第一复制组件经受使用模式，该使用模式仿效相应的感兴趣组件的使用模式，而不使该一个或多个复制组件的第二复制组件经受该使用模式；

比较在该第一复制组件上评估的该一个或多个参数的第一参数与在该第二复制组件上评估的该一个或多个参数的第二参数；以及

基于该比较提供该输出。

10.根据权利要求2所述的集成电路，其中，该可靠性监测电路组配成：

在该一个或多个感兴趣组件的操作的第一小时期间，评估该一个或多个复制组件的第一复制组件上的该一个或多个参数的第一参数；

在该第一小时之后的该一个或多个感兴趣组件的操作的第二小时期间，评估该一个或多个复制组件的第二复制组件上的该一个或多个参数的第二参数；以及

基于该第一参数和该第二参数提供第二输出，该第二输出指出该一个或多个感兴趣组件的寿命终止。

11.根据权利要求2所述的集成电路，其中，仿效相同的感兴趣组件的多个该复制组件被串接，并且其中，该可靠性监测电路组配成基于该多个该复制组件上评估的对应参数来评估所述相同的感兴趣组件的该一个或多个参数。

12.一种用于在包括多个电子组件的集成电路(IC)中进行可靠性监测的方法，该方法包括：

使用该集成电路中的可靠性监测电路，在主机系统中的该集成电路的操作期间，评估选自该电子组件中的指出一个或多个感兴趣组件的可靠性的一个或多个参数；以及

提供指出该可靠性的输出。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，评估该一个或多个参数包括评估该集成电路中的一个或多个复制组件上的该一个或多个参数，该一个或多个复制组件组配成仿效该一个或多个感兴趣组件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，复制组件组配成通过经历一使用模式来仿效相应的感兴趣组件，该使用模式仿效该相应的感兴趣组件的该使用模式。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括回应于该可靠性违反预定条件而发出警报。