[发明专利]一种防混光的半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种防混光的半导体激光器，包括基板，其特征在于，所述半导体激光器还包括设于基板上的金属层、填充于相邻金属之间的硅氧化合物、依次设于金属层及填充硅氧化合物形成的结构层上的ALD膜层、绝缘介质层、PMMA层和有源层，所述半导体激光器内形成有贯穿ALD膜层、绝缘介质层及PMMA层的环形孔腔，所述环形孔腔内设有反射膜层。

2.根据权利要求1所述防混光的半导体激光器，其特征在于，所述反射层是采用磁控溅射形成银膜层。

3.根据权利要求1所述防混光的半导体激光器，其特征在于，所述绝缘介质层为二氟化镁、三氧化二铝、二氧化硅或氟化锂，绝缘介质层的厚度为5-100nm。

4.根据权利要求1所述防混光的半导体激光器，其特征在于，所述有源层为半导体纳米片或半导体纳米线。

5.根据权利要求4所述防混光的半导体激光器，其特征在于，所述半导体纳米片或半导体纳米线由硒化镉、硫化镉、氧化锌、砷化镓、铟镓氮和铟镓砷磷中的一种制成；所述半导体纳米片或半导体纳米线的厚度为50-300nm。

6.根据权利要求1所述防混光的半导体激光器，其特征在于，所述金属层的厚度为50-200nm，金属层采用金属材料制成。

7.根据权利要求1所述防混光的半导体激光器，其特征在于，所述基板为硅衬底。

8.根据权利要求1-7任一项所述防混光的半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在基板上制备金属层；

步骤二、在金属层的间隙空间填充硅氧化合物；

步骤三、在金属层及填充硅氧化合物形成的结构层上制备ALD膜层；

步骤四、在ALD膜层上蒸镀绝缘介质层；

步骤五、在绝缘介质层上喷墨打印PMMA层；

步骤六、在PMMA层上涂胶，之后经曝光、显影、从PMMA层依次向下刻蚀至ALD膜层为止而形成环形孔腔；

步骤七、在环形孔腔上方采用磁控溅射的方式溅射形成填满环形孔腔的银膜层，再将表面银膜层刻蚀掉，形成银膜层环形孔腔；

步骤八、利用微操作系统将有源层转移到PMMA层背离绝缘介质层的那一面上，并使有源层与PMMA层紧密贴合。

9.根据权利要求8所 述防混光的半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述金属层包括多个相间隔设置的金属段，相邻金属段之间的间距小于10000A且大于5000A。

10.根据权利要求8所 述防混光的半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤七中将表面银膜层刻蚀掉的方法是经涂胶、曝光、显影后，将表面银膜层全部刻蚀掉，仅留下环形孔腔内银膜层，银膜层环形孔腔的厚度为5000A。