[发明专利]静电释放电路及显示面板

权利要求书

1.一种静电释放电路，其特征在于，包括：

开关模块，用于根据静电信号线载入的静电信号类型选择静电释放路径，包括与所述静电信号线电性连接的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管的类型不同；

释放模块，与所述开关模块连接，用于释放所述静电信号，并与所述开关模块共同用于防止所述静电释放电路漏电；所述释放模块包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管电性连接于所述第三晶体管和第一电压端之间，所述第二晶体管电性连接于所述第四晶体管和第二电压端之间，所述第一晶体管与所述第二晶体管、所述第三晶体管的类型不同；

电位控制模块，与所述开关模块、所述释放模块连接，包括第一电容和第二电容，所述第一电容的第一端同时与所述第一晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端同时与所述第一晶体管的源极或漏极中的另一者、所述第三晶体管的源极或漏极中的一者连接；所述第二电容的第一端同时与所述第二晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极电性连接，所述第二电容的第二端同时与所述第二晶体管的源极或漏极中的另一者、所述第四晶体管的源极或漏极中的一者连接。

2.根据权利要求1所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一晶体管包括硅晶体管、氧化物晶体管中的其中之一，所述第二晶体管包括硅晶体管、氧化物晶体管中的其中另一。

3.根据权利要求1所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一晶体管及所述第四晶体管为氧化物晶体管，所述第二晶体管及所述第三晶体管为硅晶体管。

4.根据权利要求1所述的静电释放电路，其特征在于，所述第一电压端的电压值大于所述第二电压端的电压值，所述第一晶体管及所述第四晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管及所述第三晶体管为P型晶体管。

5.一种显示面板，其特征在于，包括静电释放电路，所述静电释放电路包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极中的一者与第一电压端连接；

第二晶体管，与所述第一晶体管具有不同的半导体层，所述第二晶体管的源极或漏极中的一者与第二电压端连接；

第三晶体管，所述第三晶体管的源极或漏极中的一者与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第三晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与静电信号线连接；

第四晶体管，所述第四晶体管的源极或漏极中的一者与所述第二晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者连接，所述第四晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者与所述静电信号线连接；

第一电容，所述第一电容的第一端同时与所述第一晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端同时与所述第一晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者、所述第三晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接；

第二电容，所述第二电容的第一端同时与所述第二晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端同时与所述第二晶体管的所述源极或所述漏极中的另一者、所述第四晶体管的所述源极或所述漏极中的一者连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体管包括硅半导体层、氧化物半导体层中的其中之一，所述第二晶体管包括硅半导体层、氧化物半导体层中的其中另一。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述静电信号线包括数据线、扫描线中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一电容的下极板与所述第二电容的下极板不同层。